InGaAsフォトダイオードは、900nmから1700nmの広範囲にわたる優れた応答を提供し、テレコムや近赤外線（IR）検出に最適です。以下のようなさまざまなタイプのフォトダイオードが提供されています：

75μmおよび120μmフォトダイオード：これらは、TO-46パッケージに絶縁された形で提供され、単一モードおよび多重モードファイバー結合用にレンズ付きキャップが装備されています。さらに、これらの2つのサイズは、アクティブアライメントが可能なFCレセプタクルとともに提供されます。

70μmフォトダイオード：高帯域幅のアプリケーションに最適です。

120μmフォトダイオード：アクティブアライメントアプリケーションに最適です。

3mmフォトダイオード：このフォトダイオードは、TO-5パッケージに絶縁され、広帯域ダブルサイドARコーティングウィンドウを備えています。高いシャント抵抗を持ち、弱い信号に対する高感度アプリケーションに適しています。

基板温度 Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波（CW）動作

典型特性曲線

Responsivity, R (A/W)

Wavelength, λ (nm)

P-I特性

応用回路例