InGaAsフォトダイオードは、900nmから1700nmまでの広範囲の波長に優れた応答を提供し、テレコムおよび近赤外線（IR）検出に最適です。75μmおよび120μmのフォトダイオードは、単一モードおよび多重モードファイバー結合用にレンズ付きキャップを備えた絶縁TO-46パッケージで提供されます。これらの2つのサイズは、アクティブアライメントFCレセプタクルとともにも提供されます。70μmのフォトダイオードは、高帯域幅のアプリケーションに最適であり、120μmのフォトダイオードはアクティブアライメントアプリケーションに最適です。3mmのフォトダイオードは、広帯域ダブルサイドARコーティングウィンドウを備えたTO-5パッケージで絶縁されており、高いシャント抵抗を持ち、弱い信号の高感度アプリケーションに適しています。

基板温度 Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波（CW）動作

典型特性曲線

Responsivity, R (A/W)

Wavelength, λ (nm)

P-I特性

応用回路例