動作波長:1310 nm ± 20 nm、半波電圧:≤ 3.5 V @1310 nm、電気光学変調帯域幅:300 MHz、最大入力光パワー:200 mW
| 型番 : MIOC1310 |
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MIOC1310/1550Cは、薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)プロセスで製造された高性能Y型導波路位相変調集積回路です。
本多機能デバイスは、光信号の偏波制御、分岐、ならびに変調機能を実現します。
特に記載がない限り、すべての試験は25°Cで実施されます。
パラメータ | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
動作波長 | - | 1310±20 or 1550±10 | - | nm |
挿入損失 | - | 3.5 | 4 | dB |
半波電圧(Vπ) | - | ≤3.5@1310nm | ≤4@1550nm | V |
分岐比 | 48/52 | - | 52/48 | - |
電気光学変調帯域幅 | - | 300 | - | MHz |
偏光消光比 | 55 | 60 | - | dB |
バックリフレクション | - | - | -55 | dB |
波形スロープ | - | - | 1/250 | - |
残留強度変調 | - | 0.2% | - | - |
絶対最大定格(T = 51°C、IF = 2.5 mA)
パラメータ | 記号 | 単位 | 典型値 |
動作温度 | Top | -45 to +70 | °C |
保存温度 | Tstg | -40 to +85 | °C |
最大入力光パワー | Pmax | 200 | mW |
最大入力電圧 | Vmax | 15 | V |
取り扱いおよび注意事項:
● ESD保護:チップの損傷を防ぐため、適切な静電放電対策を必ず実施してください。
● 物理的取り扱い:取り扱い時は十分注意し、光導波路への接触を避けてください(伝送効率低下の原因となります)。
● ボンディング工程:ワイヤボンディング時の圧力、温度などの条件は、構造損傷を防ぐため厳密に調整・管理してください。