MIOC1550Y 導波路変調チップ


動作波長:1550 nm ± 10 nm、半波電圧:≤ 3.5 V @1310 nm、電気光学変調帯域幅:300 MHz、最大入力光パワー:200 mW

型番  :   MIOC1550
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MIOC1310/1550Cは、薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)プロセスで製造された高性能Y型導波路位相変調集積回路です。

本多機能デバイスは、光信号の偏波制御、分岐、ならびに変調機能を実現します。


特に記載がない限り、すべての試験は25°Cで実施されます。

パラメータ

最小値

典型値

最大値

単位

動作波長

-

1310±20 or 1550±10

-

nm

挿入損失

-

3.5

4

dB

半波電圧(Vπ)

-

3.5@1310nm

4@1550nm

V

分岐比

48/52

-

52/48

-

  電気光学変調帯域幅

-

300

-

MHz

 偏光消光比

55

60

-

dB

  バックリフレクション

-

-

-55

dB

波形スロープ

-

-

1/250

-

 残留強度変調

-

0.2%

-

-

 

 

絶対最大定格(T = 51°C、IF = 2.5 mA)

パラメータ

記号

単位

典型値

動作温度

Top

-45 to +70

°C

 保存温度

Tstg

-40 to +85

°C

最大入力光パワー

Pmax

200

mW

最大入力電圧

Vmax

15

V

 

取り扱いおよび注意事項:

● ESD保護:チップの損傷を防ぐため、適切な静電放電対策を必ず実施してください。

● 物理的取り扱い:取り扱い時は十分注意し、光導波路への接触を避けてください(伝送効率低下の原因となります)。

● ボンディング工程:ワイヤボンディング時の圧力、温度などの条件は、構造損傷を防ぐため厳密に調整・管理してください。

 



 

 

 

 

 

 

 

 

 



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名称 モデル 価額
MIOC1310Y 導波路変調チップ [PDF]

MIOC1310

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