波長範囲:1535–1565nm、出力パワー:13dBm、帯域幅:20 / 40GHz、出力コネクタ:FA FC/APC
| 型番 : LP-MZM-T-BW-IO-Z-AB |
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本製品は、最新のリチウムニオベート・オン・インシュレーター (LNOI) 技術を基にしており、従来型リチウムニオベート変調器の利点を多く引き継ぎつつ、ミニチュアサイズ、低駆動電圧、低損失を実現しています。
LP-MZM-T-BW は熱調整型バージョンで、チップ上に統合されたマイクロヒーターによって位相シフトを調整します。従来のLN変調器と比べ、ヒーターバージョンはデバイス寿命全体でより安定したバイアスポイントを維持できます。デバイスは密閉パッケージで内部光源を内蔵しており、エンドユーザー向けに省スペース化されています。
パッケージには低RINレーザー光源も統合されています。また、2つのPD(フォトダイオード)が搭載されており、1つはレーザー出力の監視用、もう1つはMZバイスポイントの監視用です。
電気的特性
ORI-MZM-T-BW
No. | パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
1 | RF Vπ @ 1kHz | Vpi_RF | - | 3.3 | 3.5 | V |
2 | RF Vπ @ 1GHz | Vpi_RF | - | - | 4 | V |
3 | 電気光学 3-dB 帯域幅* | BW | 20/40 | - | - | GHz |
4 | 電気的反射損失 (f<40GHz) | S11 | - | - | -10 | dB |
5 | 特性インピーダンス | Zc | - | 50 | - | Ohm |
6 | ヒーター抵抗 | Rhtr | 160 | - | 260 | Ohm |
7 | DCチューニング Pπ | Pπ_DC | 45 | 55 | 70 | mW |
8 | LD動作電流 | If | - | 300 | 400 | mA |
9 | LD順方向電圧 | Vr | 1.2 | - | 2 | V |
10 | 相対強度ノイズ+ | RIN | - | -150 | - | dB/Hz |
11 | サーミスタ抵抗 | Rth | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ |
12 | TEC電流 | Itec | - | - | 0.5 | A |
13 | TEC電圧 | Vtec | - | - | 5.0 | V |
ORI-MZM-T-20 および ORI-MZM-T-40 バージョンの場合
100MHz~20GHz、If=400 mA、反射 -40dB
光学特性
No. | パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
1 | 出力パワー (If=400mA) | OP | 12 | 13 | - | dBm |
2 | DC消光比 | ER | 20 | - | - | dB |
3 | 波長範囲 | λ | 1535 | 1550 | 1565 | nm |
4 | MPD1 応答性+ | R | 0.01 | - | 0.5 | A/w |
5 | MPD2 光電流 (If=400mA) | Iph2 | 0.1 | - | - | mA |
TEC 40℃でテスト済み
PDの応答性は、固定入力時の最大出力光パワーに対する最大PD光電流として定義
変調器機能図

ORI-MZM-T-20 典型 S11 & S21 カーブ*

ORI-MZM-T-40 典型 S11 & S21 カーブ*

絶対最大定格
ORI-MZM-T-BW
No. | パラメータ | 記号 | 最小値 | 最大値 | 単位 |
1 | 保存温度 | ST | -40 | 85 | °C |
2 | 動作温度* | OT | -40 | 70 | °C |
3 | RF入力電力 | EPin | - | 25 | dBm |
4 | ヒーター最大電力 | HPin | - | 200 | mW |
5 | レーザー最大電流 | lop | - | 400 | mA |
外部温度はオーブン内