1G Si APD フォトディテクタ

応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：1G 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC

型番 : APD-1G-B

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在庫番号 : E80040220

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仕様
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高速・低ノイズのアバランシェフォトダイオード（APD）バランス検出モジュールは、低ノイズAPD検出器、低ノイズ広帯域トランスインピーダンスアンプ、超低ノイズ絶縁電源、高電圧電源を統合しています。絶縁電源により、出力信号は外部電源の影響を受けません。APDの温度補償により、検出モジュールの安定性が向上します。アバランシェフォトダイオードは、高ゲイン、高感度、高帯域幅、低ノイズが特徴です。

製品モデル	APD-100M-B	APD-200M-B	APD-300M-B	APD-400M-B	APD-1G-B	APD-2G-B	単位
検出器	Si
波長	400~1100						nm
帯域幅	100M	200M	300M	400M	1G	2G	Hz
検出器感度	25	25	25	25	25	25	A/W@850nm
トランスインピーダンス利得	300K	300K	300K	300K	300K	300K	V/W
飽和入力光パワー	13	13	13	13	13	13	uW
NEP（等価雑音光パワー）	0.18	0.18	0.18	0.18	0.2	0.2	pW/√(Hz)
出力インピーダンス	50	50	50	50	50	50	Ω
出力結合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	AC	AC
供給電圧	5	5	5	5	12	12	V
供給電流	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	A
光入力	FC/APC（or Free Space ）
高周波出力	SMA
形状／サイズ	655020						mm

関連

ネーム	モデル	説明	パラメータ	価額
100M Si APD フォトディテクタ [PDF]	APD-100M-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：100M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 100MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
200M Si APD フォトディテクタ [PDF]	APD-200M-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：200M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 200MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
300M Si APD フォトディテクタ [PDF]	APD-300M-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：300M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 300MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
400M Si APD フォトディテクタ [PDF]	APD-400M-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：400M 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 400MHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
2G Si APD フォトディテクタ [PDF]	APD-2G-B	応答波長: 400–1100 nm、帯域幅：2G 、材料: Si、検出器感度：25A/W@850nm、光入力：FC/APC	応答波長: 400-1100nm 帯域幅: 2GHz リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us

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