中心波長

λ

1944

1945

1946

nm

SMSR

SMSR

30

40

dB

しきい値電流

Ith

20

30

mA

動作電流

  Iop

80

120

mA

チップ出力光パワー

Pf

2

3

5

mW

量子効率

η

0.08

0.12

mW/mA

電流チューニング係数

∆λ/∆I

0.015

nm/mA

温度チューニング係数

∆λ/∆Ｔ

0.12

nm/K

順方向電圧

Vf

1.3

2

V

サーミスタ抵抗

RT

9.5

10

10.5

KΩ

サーミスタ温度係数

-4.4

%/℃

コネクタ

FC/APC

2

  サーミスタ

9

  ケース接地

3

レーザーDCバイアス（カソード）（−）

10

 ケース接地

4

  PDモニタ アノード（−）

11

 レーザーアノード（＋）

5

 PDモニタ カソード（＋）

12

 RFレーザー入力 カソード（−）

6

TEC＋

13

 レーザーアノード（＋）

7

TEC−

14

 ケース接地

ケース温度

  ℃

-5

25

70

チップ温度

℃

+10

25

40

動作電流

mA

0

100

120

順方向電圧

V

0.8

1.2

1.8

TEC電流

A

-

1.2

逆方向電圧（LD）

V

-

-

2.0

逆方向電圧(PD)

V

-

-

20