中心波長

λ

1650

1653.7

1656

nm

SMSR

SMSR

30

40

dB

しきい値電流

Ith

20

30

mA

動作電流

  Iop

280

500

mA

チップ出力光パワー

Pf

50

60

80

mW

線幅（3dB)

L

75

100

500

KHZ

量子効率

η

0.08

0.12

mW/mA

電流チューニング係数

∆λ/∆I

0.015

nm/mA

温度チューニング係数

∆λ/∆Ｔ

0.12

nm/K

順方向電圧

Vf

1.3

2

V

サーミスタ抵抗

RT

9.5

10

10.5

KΩ

サーミスタ温度係数

-4.4

%/℃

コネクタ

FC/APC

2

 サーミスタ

9

ケース接地

3

  レーザー DCバイアス（カソード）（－）

10

ケース接地

4

 モニタPD アノード（－）

11

  レーザーダイオード アノード（＋）

5

モニタPD カソード（＋）

12

 RFレーザー入力 カソード（－）

6

 TEC（＋）

13

 レーザーダイオード アノード（＋）

7

 TEC（－）

14

 ケース接地

ケース温度

  ℃

-5

25

70

チップ温度

℃

+10

25

40

動作電流

mA

0

400

500

順方向電圧

V

0.8

1.2

1.8

TEC電流

A

-

1.2

逆方向電圧（LD）

V

-

-

2.0

逆方向電圧(PD)

V

-

-

20