LD-PDのInGaAs PIN構造は、MOCVD法と平面拡散技術に基づいてInP基板上に製造されています：LD-PDのInGaAsフォトダイオードチップは、MOCVD（有機金属化学蒸着法）法を使用してInP（インジウムリン）基板上に製造されています。この高度な製造技術により、高品質で一貫した性能が確保されます。TOフォトダイオードシリーズ製品の感度エリアは、φ75µm、φ300µm、φ500µm、φ1mm、φ2mm、φ3mmのサイズがあります。ユーザーの要求に応じて、カスタムサイズ、形状、またはパッケージスタイルでの提供も可能です。

オプトエレクトロニクス特性（@Tc=22±3℃）

図1に示すように @ Vr=0V、TC=22±3℃

M=1 応答曲線

応答性、R (A/W)