LiNbO₃ 多機能集積光学チップ（Mini MIOC）

LD-PD Mini MIOCは、先進的なプロトン交換（APE）技術を採用した最先端のLiNbO₃（ニオブ酸リチウム）デバイスです。
本多機能集積光学チップは、偏光子、Y分岐カプラ、およびデュアル電気光学位相変調器を高集積化しています。

高性能ファイバ光ジャイロ（FOG）向けに特別設計されており、業界トップクラスの小型パッケージにおいて、優れた偏光消光比、高精度な位相変調性能、および高い集積性を実現しています。

製品モデル

名称	モデル	説明	パラメータ	価額
1310nm 集積光学チップ（Y導波路） [PDF] [RFQ]	MIOC-13-09-80-N	作波長：1310nm±10nm 、半波長電圧（Vπ）：≤ 3.5V @ 1310 nm 、電気光学変調帯域幅：300 MHz、入出力ファイバ：125/250 µm 偏波保持ファイバ、出力ファイバ：80/165 µm 偏波保持ファイバ	動作波長: リードタイム:	[お問い合わせください] Call us
1310nm 集積光学チップ（Y導波路） [PDF] [RFQ]	MIOC-13-09-09-N	動作波長：1310nm±10nm 、半波長電圧（Vπ）：≤ 3.5V @ 1310 nm 、電気光学変調帯域幅：300 MHz、入出力ファイバ：125/250 µm 偏波保持ファイバ	動作波長: リードタイム:	[お問い合わせください] Call us
1550 nm 集積光学チップ（Y導波路） [PDF] [RFQ]	MIOC-15-09-80-N	動作波長：1550 nm ± 10 nm 、半波長電圧（Vπ）：≤ 4 V @ 1550 nm 、電気光学変調帯域幅：300 MHz 、入力ファイバ：125/250 µm 偏波保持ファイバ、出力ファイバ：80/165 µm 偏波保持ファイバ	動作波長: リードタイム:	[お問い合わせください] Call us
1550 nm 集積光学チップ（Y導波路） [PDF] [RFQ]	MIOC-15-09-09-N	動作波長：1550 nm ± 10 nm 、半波長電圧（Vπ）：≤ 4 V @ 1550 nm 、電気光学変調帯域幅：300 MHz、入出力ファイバ：125/250 µm 偏波保持ファイバ	動作波長: リードタイム:	[お問い合わせください] Call us

特長

● 集積設計：偏光子、Y分岐、および位相変調器を単一チップ上に集積。

● 高性能：低挿入損失かつ高偏光消光比（PER）を実現。

● APE技術採用：高い光パワー耐性と長期安定性を確保。

● 小型設計：省スペース用途に適した小型パッケージ。

● 低消費電力：低半波長電圧（Vpi）により高効率な位相制御を実現。

仕様

技術仕様

最大定格

寸法

LiNbO₃ Multifunctional Integrated Optical Chip 2.png

当社の20 mm × 10 mm 技術図面を参照

ハウジング材料：金メッキKovar（コバール）を使用し、優れた熱安定性と耐腐食性を実現。

ファイバ種類：入力および出力ともに偏波保持ファイバ（PMファイバ、Panda型）を使用。

電気ピン：差動位相変調制御用の4ピン構成。

応用 / 用途

● 光ファイバジャイロ（FOG）：高精度な回転検出のコアコンポーネント。

● 光ファイバ電流センサ（FOCS）：高精度な位相シフト測定を実現。

● 光コヒーレンストモグラフィ（OCT）：高速光路変調に対応。

● コヒーレント通信：位相感度の高い信号処理に使用。

注文情報

種類	説明
MIOC-15-09-09-N	1550 nm 集積光学チップ（Y導波路）：入出力ともに125/250 µm PMファイバ、ファイバ長1 m、コネクタなし
MIOC-15-09-80-N	1550 nm 集積光学チップ（Y導波路）：入力125/250 µm PMファイバ、出力80/165 µm PMファイバ、ファイバ長1 m、コネクタなし
MIOC-13-09-09-N	1310 nm 集積光学チップ（Y導波路）：入出力ともに125/250 µm PMファイバ、ファイバ長1 m、コネクタなし
MIOC-13-09-80-N	1310 nm 集積光学チップ（Y導波路）：入力125/250 µm PMファイバ、出力80/165 µm PMファイバ、ファイバ長1 m、コネクタなし