動作波長:1530~1565 nm 動作帯域幅:60 GHz
| 型番 : WPD-OE0003H |
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本製品はシリコンベース薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)に基づくIQ変調を実現しており、3 dB帯域幅は≥20/40/60 GHz、半波長電圧は≤3.5 Vです。デジタル通信、マイクロ波フォトニクスおよび関連技術分野に適しています。
チップ仕様(特に記載のない限り、すべての測定値は25 °C条件下)
パラメータ | 記号 | 試験条件 | 最小値 | 代表値 | 最大値 | 単位 |
動作波長 | λλ | 1550 (C-band) | nm | |||
挿入損失 | IL | 1550 nm 0 dBm CW | 6.5 | 7 | dB | |
RF半波長電圧(Vπ) | Vπ | 1550 nm CW fmod=50kHz | 3.4 | 3.5 | V | |
3 dB帯域幅 | S21 | 20 / 40 / 60 | GHz | |||
変調消光比 | ER | 20 | dB | |||
RFリターンロス | S11 | -10 | Ω | |||
熱チューニング抵抗 | RH | 80 | mW | |||
熱チューニングPnn | Pπ | 50 | μm | |||
入出力導波路モードフィールド径 | MFD | 9 | μm | |||
入出力導波路ピッチ | Pitch | 1000 | μm | |||
パラメータ | 記号 | 定格値 | 単位 |
入力光パワー | Ps.o | 23 | dBm |
入力RFパワー | Ps.rf | 23 | dBm |
熱チューニングバイアス電圧 | VH | ±8 | V |
動作温度 | Tw | -40 ~ +85 | °C |
保存温度 | Ts | -40 ~ +85 | °C |