冷却型バタフライパッケージ SPAD デバイス


広帯域、高温対応、10ピンバタフライパッケージ、ベーシックバージョン

型番  :  LPWBHT-BT10-G
価格  :  USD [お問い合わせください]
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LPWBHT-BT10-G 高温対応ゲイガーモード InGaAs/InP 単一光子アバランシェダイオード(SPAD)は、近赤外波長帯における単一光子検出およびカウント用に設計された高性能な光電子デバイスです。

InGaAs/InPヘテロ接合半導体材料系をベースに開発されており、0℃以上の広い温度範囲における単一光子検出用途に最適化されています。冷却電力消費およびシステムの複雑性を低減しながら、高効率かつ低ダークカウントでの単一光子信号取得を実現し、量子鍵配送(QKD)や微弱光検出などの高性能分野の厳しい要求に対応します。

本デバイスは900~1700nmの近赤外スペクトル応答範囲を有し、単一光子レベルでの超高感度検出が可能です。また、最適化された高温安定設計により、広い動作温度範囲において性能の一貫性を確保しています。これにより、小型機器への統合要件を満たすと同時に、屋外基地局や産業制御環境などの複雑な条件下でも長期安定動作をサポートします。


SPADデバイス技術仕様

製品型番

LPWBHT-BT10-G

動作温度

-50~80℃

保存温度

-50℃~+85℃

 

光電気特性

パラメータ

単位

テスト条件

最小値.

最大値.

DC特性(Te = 23±2℃)

 ブレークダウン電圧(Vbr)

V

Ia=10μA

50

70

 感度

A/W

λ=1.55μm,  V=Vbr-2V,  Φe=1μW

8

-

ダーク電流(Ia)

nA

 V=Vbr-2V, Φe=0

-

1

 容量(Cot)

pF

V=Vbr-2V, f=1MHz

-

0.35

 ブレークダウン電圧の温度係数(n)

V℃

Top=-40~+   30℃,I=10μA,Φe=0

-

0.15

ゲイガーモード特性(Top = -30℃)

 光子検出効率(PDE)

%

0.1ph/pulse,   λ=1.55μm

20

-

 ダークカウントレート(DCR)

kHz

fg=100MHz, PDE=20%

-

1.5

 アフターパルス確率(APP)

%

-

2.5

 


TEC仕様

パラメータ

単位

最大値.

性能
   (323 K / N₂)

△Tmax

K

119

Qmax

W

0.8

△Imax

A

2.5

Umax

V

2.2

ACR

Ohm

0.78

 

 

絶対最大定格

サーミスタ:5 kΩ(25℃時)

サーミスタ定数:A = 1.2548E-03 B = 2.3738E-04 C = 1.3222E-07

パラメータ

単位

パラメータ

はんだ付け温度(Tsd、時間)

260(10s)

直流逆バイアス電圧(Vr)

V

Vbr

過剰バイアスパルス振幅(Vg)

V

10

入力光パワー(Φe、連続動作)

mW

1

順方向電流(Ie、連続動作)

mA

1

 

機械構造

パッケージ構造

外形寸法

mm

1000(L)×10.5(W)×8.77(H)

パッケージタイプ

-

気密封止(ハーメチック)/非気密封止

 ファイバーピグテール

FC/PCシングルモードファイバーピグテールl

 ESD試験

標準:MIL-STD-883E、Method 3015.7Class 1(≥300 V)

 

 

代表特性曲線

SAPD1.png


SAPD2.png


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