1250 nm DFB レーザーダイオード     


PL-DFB-1250-A-A81 1250nm DFBレーザーダイオードモジュールは、LD-PDにより製造された高コストパフォーマンスかつ高コヒーレンスのレーザー光源です。
DFBレーザーダイオードチップは、業界標準の14ピン・バタフライ型気密封止パッケージに実装されており、TEC(温度制御素子)およびPD(フォトダイオード)を内蔵しています。



製品 モデル


名称 モデル 価額
1250nm DFB PM  レーザー   [PDF]  [RFQ]

PL-DFB-1250-A-A81-PA
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1250nm DFB SM  レーザー   [PDF]  [RFQ]

PL-DFB-1250-A-A81-SA
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パラメータ


特長

● 狭線幅 < 2 MHz
● 優れた波長制御性および安定性
● 業界標準14ピンバタフライパッケージ
● モードホップフリーチューニング
● 優れた信頼性
● カスタム波長対応可能

レーザー仕様

電気的・光学的特性(特に記載のない限り、Tsub = 25°C、CW動作条件)

パラメータ

記号

最小値

典型値

最大値

単位

 中心波長

λ

1249

1250

1251

nm

 サイドモード抑圧比

SMSR

30

40


dB

 しきい値電流

Ith


35

50

mA

 動作電流

Iop


700

800

mA

 チップ出力パワー

Pf


100

115

mW

量子効率

η

0.08

0.12


mW/mA

 電流波長可変係数

∆λ/∆I


0.015


nm/mA

 温度波長可変係数

∆λ/∆T


0.12


nm/K

 順方向電圧

Vf


1.3

2

V

  サーミスタ抵抗値

RT

9.5

10

10.5

 サーミスタ温度係数



-4.4


%/°C

コネクタ

FC/APC


スペクトル

1250.png


チューニング特性

1250.3.png


L-I特性カーブ

1250.1.png


線幅測定(CW,74.928 kHZ@25deg,150mA)  

1250.4.png


ビームプロファイル(2D/3D) 

D)XRNI6(B736%L%HB68S3.jpg    

2D 


 ZUYY5)4Z332N5V9_ZJ`JF.png

3D 


偏波消光比測定

1250.5.png



パッケージサイズ

2047.92.png

ピン定義

ZQIRNQSF5.jpg




1

TEC(+)

8

N/C

2

サーミスタ

9

N/C

3

PDモニタアノード(–)

10

LD(+)

4

PDモニタカソード(+)

11

LD(–)

5

サーミスタ

12

N/C

6

N/C

13

ケース接地

7

N/C

14

TEC (-)

 

絶対最大定格

 項目

単位

最小値

典型値

最大値

 ケース温度

  ℃

-5

25

70

チップ温度

+10

25

40

動作電流

mA

0

700

800

 順方向電圧

V

0.8

1.2

1.8

 TEC電流

A

-

-

1.2

逆方向電圧(LD)

V

-

-

2.0

 逆方向電圧(PD)

V

-

-

20



応用 / 用途

● 波長可変半導体レーザー吸収分光法(TDLAS)
● シードレーザー
● ファイバーレーザー

注文情報

PL-DFB-□□□□-☆-A8▽- XX

1250: 1250nm

1512: 1512nm

1567: 1567nm

1572: 1572nm

*****

1674.4: 1674.4nm
☆:出力

A: 100mW

B: 150mW

▽: 波長許容範囲

1: ±1nm

2: ±2nm

XX:ファイバおよびコネクタタイプ

SA=SMF-28E+ FC/APC

SP=SMF-28E+ FC/PC

PP=PM Fiber+ FC/PC

PA=PM Fiber+ FC/APC


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