LP-ECWDM-100-C-CN-CC は、電界吸収変調器（EAM）を集積した分布帰還型（DFB）エッジエミッタレーザーダイオードチップであり、CWDM波長において単一縦モードを提供し、最大100 Gb/sの冷却アプリケーションに対応します。

本チップは導波路ストライプ構造を採用しており、多重量子井戸（MQWs）活性層および分布帰還グレーティング層を備え、高出力かつ高消光比を実現しています。

すべてのチップは認証済みのウェハロットから供給されており、これらのロットは連続波（CW）、動作特性および静電気耐性（ESD）試験において、所定の歩留まり基準を満たしています。

LP-E1xxx-100-C-CN-CC（1xxx = 1270、1290、1310、1330）は、各CWDM波長に対応しています。

LP-E1xxx-100-C-CN-CC の特性

特に記載がない限り、チップオンキャリア（CoC）の動作温度（Top）は55°Cとします。すべてのパラメータは、特に明記がない限り初期特性（BOL）値です。

最大定格（Maximum Power Rating）

絶対最大定格を超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これらはあくまで絶対最大定格であり、データシートの動作条件を超える状態における正常動作を保証するものではありません。絶対最大定格での長時間の使用は、デバイスの信頼性に悪影響を及ぼす可能性があります。

これらの最大ストレスは、チップがヒートシンクに適切に実装された後にのみ適用されます。ベアチップの状態で電流を印加すると、デバイスが損傷する可能性があります。

外形寸法およびレイアウト

認定情報

● Telcordia GR-468 に基づく認定を現在進行中です。

● 出荷されるすべてのチップは、厳格なバーンイン試験要件を満たしたウェハロットから供給されていますが、初期故障（インファントフェイラー）を除去するため、個別チップに対して追加のバーンイン実施を推奨します。

レーザー安全

警告：本レーザーダイを上位のアセンブリまたはサブアセンブリに組み込んだ場合、CDRH（21 CFR 1040）に基づく Class IIIb 相当の放射レベルとなる可能性があります。

本製品はダイレベルのサブアセンブリ部品であり、FDA/CDRHへの登録は行われていません。レーザー発振には、ユーザーによる追加の実装およびバイアス印加が必要です。実際の光出力および安全等級は、実装方法および使用条件に依存し、これにはボンディング方法、放熱設計、熱環境、光結合設計などが含まれますが、これらに限定されるものではありません。