Oバンド 半導体光増幅器チップ器


中心波長:1310㎚、 出力:>18dBm、帯域幅:40–60 nm、最小注文数量:10個

型番  :  PL-SOA--B-2-1310-BC
価格  :  USD [お問い合わせください]
納期  :  在庫あり
在庫数量   :   [お問い合わせください]
在庫番号   :  I80050001
メールでお問い合わせくださいお見積り依頼(RFQ)

SOA(半導体光増幅器)は、光を増幅する半導体素子です。半導体レーザーの両端面には反射防止処理が施され、共振器構造が除去されています。外部から入射した光は、誘導放出によって増幅されます。SOAは光信号の増幅に使用されます。

データセンター間通信に用いられる光トランシーバーモジュールにはSOAが組み込まれ、Ethernet通信で使用される1.3 µm帯の光信号を増幅し、伝送損失を補償します。

LD-PDは、15 dB以上の高い光利得と7 dB以下の低雑音指数を有するSOAモジュールを提供しています。また、偏波依存利得も1.5 dB以下であり、実用上問題のない信号増幅が可能です。

電気/光学特性(チップ裏面温度 Tsub=25°C、特に記載のない限り CW バイアス)

パラメータ

記号

テスト条件

最小値

典型値.

最大値.

単位

ビーム角

Ang

IF=120mA, Tc=25°C & Tc=40°C

26.5

°

中心波長

λ C

IF=120mA, Tc=25°C

1280

nm

IF=120mA,   Tc=40°C

1290

nm

動作電流

Iop

Tc=25C   & Tc=40°C

100

120

150

mA

順方向電圧

Vf

IF=120mA,   Tc=25C & Tc=40°C

1.2

1.8

V

ASEスペクトル帯域幅

BW

IF=120mA,   Tc=25C @-3dB

40

nm

IF=120mA,   Tc=40C @-3dB

40

利得

G

IF=120mA, λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=25°C

16

18

dB

IF=120mA, λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=40°C

15

16

雑音指数

NF

IF=120mA, λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=25°C

7.5

dB

IF=120mA, λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=25°C

7.5

ASEリップル

R

IF=120mA,   Tc=25C & Tc=40°C

0.1

0.2

dB

偏波依存利得

PDG

IF=120mA,λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=25C & Tc=40°C

1.5

dB

飽和出力

SOP

IF=120mA,λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=25°C

7

9

dBm

IF=120mA,λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=40°C

7

8

dBm

 

特性プロット

ASEスペクトル:中心波長 ≒ 1290 nm ASEリップル:< 0.1 dBASE帯域幅:44 nm測定条件:40 ℃、CW動作

t1.png


t2.png



PIVカーブ


t3.png


典型特性


t4.png


ダウンロード


お見積り依頼(RFQ)

本ウェブサイト及びサービスを使用することで、閣下は当社によるクッキーの使用に同意したものとみなします。 クッキーにより、当社は会員サービスをより充実したものにするとともに、短期間に閣下の閲覧履歴を記録することができます。 OK 詳細はこちら
閉じる[X]
ショッピングカート
モデル 数量 価格 小計
合計金額:USD:
ショッピングカートを表示 決済
︿ TOP
提示