応答波長範囲: 900~2200 nm 、材料:InGaAs、 有効受光面積:1mm、、パッケージ: TO-46
| 型番 : PL-2200-IG-AR1-TO46 |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
| 在庫数量 : [お問い合わせください] |
| 在庫番号 : E80042045 |
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LD-PD-2000E 拡張型 InGaAs フォトダイオードは、高感度で、赤外線機器およびセンシング用途に使用されます。800 nm から 2200 nm の範囲で高い光スペクトル応答を持っています。
電気的/光学的特性(Tsub = 25°C、特に記載がない場合、CW バイアス)
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
ピーク波長 (typ) | λ | 900-2200 | nm | ||
アクティブ直径 | φ | 1000 | um | ||
応答度@λP(min/typ) | Re | 0.9 | 1.0 | A/W | |
シャント抵抗min/typ) | 40k | 75k | Ω | ||
暗電流(max) @ 1V | 10 | uA | |||
静電容量(typ) @ 0V | 1000 | pF | |||
帯域幅 w/ 50Ω@ 0 V (typ) | 3.18 | MHz | |||
立ち上がり時間 w/ 50Ω@ 0 V (typ) | 110 | ns | |||
NEP @λPEAK (typ) | 46.8 x10-14 | W/Hz1/2 | |||
直線性 (±0.2 dB @ 0 V) | 6 | dBm | |||
ケース形状 | TO-46 | ||||
タイピカル特性曲線
相対レスポンシビティ (X100%)

Wavelength, λ (nm)
応用回路

寸法とピン定義

絶対最大定格
パラメータ | 記号 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 |
保存温度 | Tstg | ℃ | -40 | - | 125 |
動作温度 | TOP | ℃ | -40 | - | 85 |
逆電圧 | VPD | V | 1 | ||
逆電流 | IPR | mA | 10 | ||
順方向電流 | IPF | mA | 10 | ||
消費電力 | mW | 50 | |||