中心波長:976㎚、光出力:1W、ピグテールタイプ:HI1060、 (FC/APCコネクタ付き)
| 型番 : PL-FP-976-D-A81-PA-FBG |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
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| 在庫番号 : A80022086 |
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PL-976-FP-D-A81-PA 976 nm ポンプレーザーモジュールは、複数の革新的な設計手法と最新の材料技術を採用し、生産プロセスのスケーラビリティを大幅に向上させています。
半冷却 45°C レーザーダイオード動作により、TECおよび全体消費電力を大幅に低減できます。
本モジュールは、電気通信業界の厳しい要求(980 nm 密封ポンプモジュール用 Telcordia GR-468-CORE を含む)を満たしています。
LD-PDシリーズのポンプモジュールは、ファイバーブラッググレーティング(FBG)安定化技術により発光波長を固定し、温度、駆動電流、光フィードバックの変化があってもノイズフリーで狭帯域のスペクトルを提供します。
アプリケーションに応じて波長選択が可能で、高性能スペクトル制御および最大出力を実現します。
技術仕様 / 表 2-1 極限動作条件
仕様 | 記号 | 単位 | 最小値 | 最大値 | 備考 |
LD正方向電流 | If | A | 1.1*EOL | CW | |
LD 逆方向電圧 | Vr | V | 2 | ||
LD 逆方向電流 | Ir | uA | 10 | ||
LD 静電破壊損失 | VESD,LD | V | 500 | C=100pF,R=1.5kΩ, | |
HBM Model | |||||
PD 逆方向電圧 | Vr,PD | V | 20 | ||
PD正方向電流 | Ir,PD | mA | 10 | Bias voltage-5V | |
PD静電破壊損失 | VESD,PD | V | 300 | C=100pF,R=1.5kΩ, | |
HBM Model | |||||
TEC電流 | ITEC,AMR | A | -2 | 3 | |
TEC電圧 | VTEC,AMR | V | -3 | 4.7 | |
動作環境温度 | Tc | ℃ | -5 | 75 | |
保存温度 | Tstg | ℃ | -40 | 85 | 2000hrs MAX |
LD動作温度 | Ts | ℃ | 10 | 40 | Duration<1min |
動作相対湿度 | RHop | % | 5 | 85 | 1.0 kg の乾燥空気中の水分量は 0.024 kg を超えてはならない |
保存相対湿度 | RHstg | % | 5 | 85 | |
リードはんだ付け温度 | Tsoldering | ℃ | 400 | Duration<10s, Tc≤75°C |
仕様 | 記号 | 単位 | 最小値 | 最大値 | 備考 |
ピグテールの軸方向引張力 | N | 5 | 3*10s | ||
ピグテールの横方向引張力 | N | 2.5 | 3*10s | ||
光ファイバ曲げ半径 | mm | 20 |
注意:
極限動作条件とは、デバイスが短時間耐えられる最高定格値を指します。最大定格を超えて動作させると、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。最大定格条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性および寿命に影響を与える場合があります。
特に指定がない場合のデバイス動作条件:
ケース温度:-5°C ~ +75°C
FBG温度:-5°C ~ +75°C
LD動作温度:25°C(任意のケース温度において)
PDバイアス電圧:-5 V
スペクトル解析(動作温度25 °C、電流 200 mA)

L–I特性(600 mW バージョンを例として)

光出力安定性

表 2-2 製品モデル仕様
PN# | シリーズ名 | 中心波長設定 | 出力設定 | ファイバタイプ設定 |
PL-FP-974-OOOO- FF | PL-FP | 974 | OOOO | FF |
注意:光出力レベルモデルは "OOOO" で表示され、選択可能なパラメータは 4000、5200、7000 です。詳細は 表 2-3 を参照してください。
中心波長は "74" で表示され、デバイス中心波長の典型値は 974 nm です。波長仕様の詳細は 表 2-5 を参照してください。
光ファイバタイプは "FF" で表示され、選択可能なパラメータは PM/SM です。詳細は 表 2-4 を参照してください。
表 2-3 異なる出力レベルにおける動作パラメータ
出力レベル "OOOO" | 起動時最大光出力 / Pop,BOL (mW) | 起動時最大動作電流 / Iop,BOL (mA) | キンクフリー最小出力 / Pkink (mW) |
A | 400 | 820 | 440 |
B | 600 | 1000 | 60 |
C | 800 | 1200 | 800 |
D | 1000 | 1500 | 1000 |
出力レベル "OOOO" | 寿命末期最大動作電流 / Iop,EOL キンクフリー最大電流 / Ikink (mA) | 寿命末期最大動作電圧 / Vop,EOL (V)) | TEC 寿命末期最大動作電流 / ITEC,EOL (A) | TEC 寿命末期最大動作電圧 / VTEC,EOL (V) |
A | 902 | 2 | 2.3 | 3.8 |
B | 1200 | 2.15 | 2.4 | 3.9 |
C | 1400 | 2.3 | 2.6 | 4.2 |
D | 18000 | 2.5 | 3.0 | 4.5 |
注意:TEC 最大動作電流 / TEC 最大動作電圧とは、周囲温度 75°C、チップ温度 25°C、LD 出力 Pop × 1.1 の条件下で TEC が必要とする最大電流 / 電圧を指します。
表 2-4 光ファイバタイプ選択可能パラメータおよび光ファイバパラメータ
ファイバタイプ | ファイバタイプ | カットオフ波長 (nm) | クラッド径 (μm) | コーティング径 | コア/クラッド同心度 (μm) | モードフィールド径 @980nm (μm) |
(μm) | ||||||
PM | PM980 | ≤970 | 125±1 | 250±10 | ≤0.5 | 6.55±0.55 |
SM | HI1060 | ≤970 | 125±1 | 240±5 | ≤0.5 | 5.9±0.5 |
表 2-5 仕様
仕様 | 記号 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 備考 |
しきいち電流 | Ith | mA | 110 | |||
13dB 帯域幅 | Δλ | nm | 1 | |||
FBG 温度ドリフト係数 | Δλp/ΔT | nm/℃ | 0.02 | |||
出力安定性 | 0.50% | デバイス電力レベル:4000 または 5200 | ||||
ΔPf_t | PV 値、光出力:100 mW ~ Pop,BOL | |||||
サンプリング周波数:1 Hz | ||||||
サンプリング時間:1 分 | ||||||
5% | デバイス電力レベル:7000 | |||||
PV 値、光出力:100 mW ~ Pop,BOL | ||||||
サンプリング周波数:1 Hz | ||||||
サンプリング時間:1 分 | ||||||
3 dB 帯域中心波長安定性 | Δλp | nm | 0.05 | デバイス電力レベル:4000または5200 | ||
50mW ≤ Pf ≤ Pop, Δλp=Max(λp)-Min(λp), in an hour | ||||||
0.5 | デバイス電力レベル:7000 | |||||
50mW≤Pf≤Pop, Δλp=Max(λp)-Min(λp), in an hour | ||||||
中心波長 | λC | nm | 973 | 975.3 | ||
バックライト型PD感度 | RMPD | μA/mW | 0.1 | 20 | Pf=Pop, Vr,PD=5V | |
バックライト型暗電流 | Id | nA | 300 | Vr,PD=5V | ||
信号対雑音比 (SNR) | SNR | dB | 20 | 50mW ≤ Pf ≤ Pop |
注意:
特に指定がない限り、上記仕様は デバイス動作条件 に基づきます:
ケース温度:-5 °C ~ +75 °C
FBG 温度:-5 °C ~ +75 °C
LD 動作設定温度:25 °C(任意のケース温度時)