中心波長:976㎚、出力:500mW、スペクトル幅:1nm、最小注文数量:20個
| 型番 : FP-Pump CHIPS-A-A81-W976 |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
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| 在庫番号 : I80012001 |
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本レーザーは、波長 974 nm で動作する InGaAsP 半導体 FP レーザーです。デバイスはチップ形態およびレーザーバー形態で提供可能です。この高性能かつ高信頼性のレーザーは、各種光ファイバー通信ネットワークおよびデータセンターでの応用に適しています。
電気/光学特性
(基板温度 Tsub = 25 °C、特に指定がない場合は連続波 (CW) バイアス)
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
中心波長 | λ | 971 | 974 | 977 | nm |
スペクトル幅 | FWHM | - | 1 | 2 | nm |
しきい値電流 | Ith | 50 | 70 | mA | |
動作電流 | Iop | 570 | 650 | mA | |
チップ出力光パワー | Pf | 450 | 500 | mW | |
順方向電圧 | Vf | 2 | 2.2 | V | |
カインク偏差 | KINK | 30% | |||
ビーム発散角(平行方向) | ϑ// | 40 | Deg | ||
ビーム発散角(垂直方向) | ϑ⊥ | 8 | Deg | ||
テスト曲線(典型値)

