976nm高出力FPレーザチップ


中心波長:976㎚、出力:500mW、スペクトル幅:1nm、最小注文数量:20個

型番  :  FP-Pump CHIPS-A-A81-W976
価格  :  USD [お問い合わせください]
納期  :  在庫あり
在庫数量   :   [お問い合わせください]
在庫番号   :  I80012001
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本レーザーは、波長 974 nm で動作する InGaAsP 半導体 FP レーザーです。デバイスはチップ形態およびレーザーバー形態で提供可能です。この高性能かつ高信頼性のレーザーは、各種光ファイバー通信ネットワークおよびデータセンターでの応用に適しています。


電気/光学特性
(基板温度 Tsub = 25 °C、特に指定がない場合は連続波 (CW) バイアス)

パラメータ

記号

最小値

典型値

最大値

単位

中心波長

λ

971

974

977

nm

スペクトル幅

FWHM

-

1

2

nm

しきい値電流

Ith


50

70

mA

動作電流

  Iop


570

650

mA

チップ出力光パワー

Pf

450

500


mW

順方向電圧

Vf


2

2.2

V

カインク偏差

KINK

30%

ビーム発散角(平行方向)

ϑ//


40


Deg

ビーム発散角(垂直方向)

ϑ⊥


8


Deg


テスト曲線(典型値)

FP2.png

FP3.jpg


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