中心波長:1653.7㎚、光出力:5.5mW、SMSR:40dB
| 型番 : TDLAS-DFBCHIPS-A-A81-W1653.7 |
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| 納期 : 在庫あり |
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| 在庫番号 : I80011024 |
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本レーザーは 半導体 InGaAsP DFB レーザーで、動作波長は1625 nm、1648.2 nm、1650.9 nm、または1653.7 nm です。デバイスはチップ形式で提供可能です。この高性能かつ高信頼性のレーザーは、特にガス検知用途に適しています。
電気/光学特性
(基板温度 Tsub = 25 °C、特に指定がない場合は連続波 (CW) バイアス)
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
中心波長 | λ | 1625 1648.2 1650.9 1653.7nm | |||
SMSR | SMSR | 30 | 40 | dB | |
しきい値電流 | Ith | 5 | 10 | mA | |
動作電流 | Iop | 80 | 120 | mA | |
チップ出力光パワー | Pf | 5.5 | 10 | 30 | mW |
量子効率 | η | 0.08 | 0.12 | mW/mA | |
電流チューニング係数 | ∆λ/∆I | 0.015 | nm/mA | ||
温度チューニング係数 | ∆λ/∆T | 0.12 | nm/K | ||
順方向電圧 | Vf | 1.3 | 2 | V | |
カインク偏差 | KINK | 30% | |||
ビーム発散角(平行方向) | ϑ// | 25 | Deg | ||
ビーム発散角(垂直方向) | ϑ⊥ | 35 | Deg | ||
抵抗値 | Rs | 8 | ohm | ||
20 dB 幅 | △λ | 1 | nm | ||