10 mm Ge フォトダイオード


応答波長: 800 ~ 1800 nm、材料: ゲルマニウム(Ge)、有効面積: 10 mm × 10 mm、パッケージ: TO-9

型番  :  GE-10X10-TO9
価格  :  USD [お問い合わせください]
納期  :  在庫あり
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在庫番号   :  E80040032
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LD-PD 10 × 10 mm フォトダイオードは、パルス光およびCW光ファイバ光源の測定に最適で、光パワーを電流に変換します。検出器はセラミック製で、アノードおよびカソードを備えています。
フォトダイオードのアノードは、入射光のパワーおよび波長に応じた電流を生成します。感度 R(λ) は付属のプロットから読み取り、光電流を推定できます。光電流は、フォトダイオードのアノードと回路グラウンド間に負荷抵抗 (RL) を配置することで電圧に変換できます。光パワー P に対する出力電圧は以下の式で表されます:


ges.png


帯域幅 (fBW) および立ち上がり時間 (tR) は、ダイオード容量 (CJ) および 負荷抵抗 (RL) により決まります。フォトダイオードのカソードから回路グラウンドにバイアス電圧を印加することでダイオード容量を低減し、応答速度を改善できます。

ges1.png


型番

GE10X10-TO9

主要特性

最大有効面積

センサ材料

Ge

応答波長

800-1800nm

有効面積

100 mm2 (10 mm x 10 mm)

立ち上がり・立下がり時間

10μs(Typ.)@1V

NEP

4.0x10-12W/Hz1/2@1550nmc

暗電流

50µA(Max)@0.3 V

接合容量

80nF(Typ.)@1V  135nF(Typ.)@0V

シャント抵抗

2kΩ(Min)

パッケージ

TO9パッケージ


スペクトル応答

LD-PD 10×10 Ge フォトダイオードの感度(レスポンス)は、光に対する感受性を示します。感度は、フォトダイオードによって生成される光電流 (IP) と、特定波長での入射光パワー (P) との比として定義されます。


ges2.png

言い換えれば、光パワーを電流に変換する効率を示す指標です。感度は、製造ロット、入射光の波長、印加逆バイアス、および動作温度によって変化します。逆バイアスを印加すると、光電ダイオードの電荷収集効率が向上するため、感度はわずかに増加します。温度変化により半導体のバンドギャップ幅が変化し、感度は逆比例して変化します。


ge1.png


推奨回路 

ge2.png


直径

ge3.png


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ネーム モデル 価額
5mm Ge フォトダイオード [PDF]

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