中心波長:760㎚、光出力:1㎽、TEC無し、許容範囲: ±1.5nm、フリースペース
| 型番 : PL-VCSEL-0760-0-A82-TO46 |
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| 納期 : 在庫あり |
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| 在庫番号 : A80041007 |
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PL-VCSEL-0760-0-A82 は、MOVPE法で成長された GaAsP/AlGaAs 単一モード垂直共振器面発光レーザー(VCSEL) で、波長は760nmです。レーザーチップは TO46金属ケース に搭載されています。波長の調整はレーザー駆動電流によって可能です。オプションとして、内蔵熱電クーラー(TEC)およびモニタフォトダイオード(PD)を追加できます。
このVCSELは FTIR(フーリエ変換赤外分光)アプリケーション 専用に設計されており、狭線幅かつ低コストで、FTIR分光および関連センサー用途に最適な選択肢です。
測定条件: TOP = 20 °C、IOP = 2.0 mA(TEC制御)
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 | 備考 |
発光波長 | λR | 760nm | ||||
しきいち電流 | ITH | 0.5 | mA | |||
出力パワー | Popt | 1 | mW | |||
しきいち電圧 | UTH | 1.8 | V | |||
駆動電圧 | IOP | 2 | mA | Popt=0.3mW | ||
レーザ電圧 | UOP | 2 | V | Popt=0.3mW | ||
光電変換効率 | ηWP | 12 | % | Popt=0.3mW | ||
傾き効率 | ηS | 0.3 | W/A | |||
微分直列抵抗 | RS | 150 | Ω | Popt=0.3mW | ||
3dB帯域幅 | V3dB | 0.1 | GHz | Popt = 0.3 mW Due to ESD protection diode | ||
相対強度噪音 | RIN | -130 | -120 | dB/Hz | Popt = 0.3 mW @ 1 GHz | |
電流による波長チューニング | 0.4 | nm/mA | ||||
温度による波長チューニング | 0.06 | nm/K | ||||
SMSR | 25 | dB | I = 2 mA | |||
ビーム発散角 | θ | 10 | 25 | ° | Popt =0.3mW, full width 1/e2 | |
スペクトル幅 | 100 | MHz | Popt = 0.3 mW | |||
スペクトル

L-I特性

酸素吸収線

パッケージサイズとピン定義
