感光波長 : 900~2200nm 、材料: InGaAs、活性面積 :3 mm、パッケージ: TO5
| 型番 : PL-2200-IG-AR3-TO5 |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
| 在庫数量 : [お問い合わせください] |
| 在庫番号 : E80042047 |
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LD-PD-3000E 拡張型 InGaAs フォトダイオード は、高感度フォトダイオードで、赤外線計測や各種センサ用途に適しています。800 nm~2200 nm の波長範囲で 高いスペクトル応答 を持っています。
電気/光学特性(基板温度 = 25 °C、特記なき場合は CW バイアス)
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
中心波長(典型値) | λ | 900~2200 | ㎚ | ||
アクティブ直径 | φ | 3000 | µm | ||
感度@λP(最小/典型値) | Re | 0.9 | 1 | A/W | |
シャント抵抗(最小/典型値) | 2K | 6K | Ω | ||
暗電流(max) @ 1V | 100 | µA | |||
総静電容量 (typ) @ 0V | 8000 | 1.5 | PF | ||
50Ω負荷時帯域幅(typ)@0 V | 0.397 | MHz | |||
50Ω負荷時立ち上がり時間(typ)@0 V | 881 | ns | |||
NEP@λPEAK(typ) | 287×10-14 | W/Hz1/2 | |||
直線性(0 V、±0.2 dB) | 6 | dBm | |||
パッケージ形式 | TO-5 | ||||
典型特性曲線 – 相対感度(×100%)

応用回路例

寸法とピン定義

絶対最大定格
パラメータ | 記号 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 |
保存温度 | Tstg | ℃ | -40 | - | 125 |
動作温度 | Top | ℃ | -40 | - | 85 |
逆方向電圧 | VPD | V | 1 | ||
逆方向電流 | IPR | ㎃ | 10 | ||
正方向電流 | IPF | ㎃ | 10 | ||
消費電力 | ㎽ | 50 | |||