PL-FP-980-B-A81-SA 980 nm ポンプレーザーモジュールは、製造プロセスの拡張性を大幅に向上させるため、革新的な設計手法と最新材料技術を採用したレーザーモジュールです。
本モジュールは半冷却（セミクールド）方式で45℃動作するレーザーダイオードを搭載しており、TECおよび全体の消費電力を大幅に低減します。また、980 nmポンプモジュール用の耐密封性能および信頼性要件を満たしており、Telcordia GR-468-COREを含む通信業界の厳格な規格に準拠しています。
さらに、本モジュールはファイバーブラッググレーティング（FBG）による波長安定化を採用しており、温度変化、駆動電流変動、光フィードバック下でもノイズの少ない狭帯域スペクトルを維持します。波長選択も可能で、最大出力を維持しつつ、スペクトル制御性能が要求される高性能アプリケーションに最適です。
技術仕様
表 2-1 過酷動作条件
仕様 | 符号 | 記号 | 最小値 | 最大値 | 注記 |
LD正方向電流 | If | A |
| 1.1*EOL | CW |
LD逆方向電圧 | Vr | V |
| 2 |
|
LD逆方向電流 | Ir | μA |
| 10 |
|
LD ESD 損失 | VESD,LD | V |
| 500 | C=100pF,R=1.5kΩ,HBMModel |
PD逆方向電圧 | Vr,PD | V |
| 20 |
|
PD正方向電流 | Ir,PD | mA |
| 10 | Bias voltage-5V |
PD ESD 損失 | VESD,LD | V |
| 300 | C=100pF,R=1.5kΩ,HBMModel |
TEC電流 | ITEC,AMR | A | -2 | 3 |
|
TEC電圧 | VTEC,AMR | V | -3 | 4.7 |
|
動作環境温度 | TC | ℃ | -5 | 75 |
|
保存温度 | Tstg | ℃ | -40 | 85 | 2000hrs MAX |
LD動作温度 | Ts | ℃ | 10 | 40 | Duration<1min |
動作相対湿度 | RHop | % | 5 | 85 | 乾燥空気1.0 kg中の含水量は0.024 kgを超えないこと |
保存相対湿度 | RHstg | % | 5 | 85 |
|
リード溶接温度 | Tsoldering | ℃ |
| 400 | Duration<10s, Tc≤75°C |
仕様 | 符号 | 記号 | 最小値 | 最大値 | 注記 |
ピグテールの軸方向引張力 |
| N |
| 5 | 3*10s |
ピグテールの横方向引張力 |
| N |
| 2.5 | 3*10s |
光ファイバーの曲げ半径 |
| mm | 20 |
|
|
スペクトル解析（動作温度 25 °C、電流 200 mA）
L–I特性（例として 600 mW 版を使用）
光出力安定性
表 2-2 製品モデル仕様
PN# | シリーズ名 | 中心波長設定 | 出力設定 | 光ファイバータイプ設定 |
型番：PL-FP-974-OOOO-FF | PL-FP | 974 | OOOO | FF |
注意：
光出力レベルは「OOOO」で表示され、選択可能なパラメータは 4000、5200、7000 です。具体的な意味は 表 2-3 を参照してください。
中心波長は「74」で表示され、デバイスの中心波長の代表値は 974 nm です。具体的な波長仕様は 表 2-5 を参照してください。
ファイバータイプは「FF」で表示され、選択可能なパラメータは PM／SM です。具体的な意味は 表 2-4 を参照してください。
表 2-3 出力レベル別動作パラメータ
出力レベル「OOOO」 | BOLにおける最大光出力 (Pop, BOL (mW)) | BOLにおける最大動作電流 (Iop, BOL (mA)) | Kinkフリー最小出力 (Pkink (mW) |
A | 400 | 820 | 440 |
B | 600 | 1000 | 600 |
C | 800 | 1200 | 800 |
D | 1000 | 1500 | 1000 |
出力レベル「OOOO」 | EOL時の最大動作電流 (Iop, EOL)Kinkフリー最大電流 (Ikink) | EOL時の最大動作電圧 (Vop, EOL) | EOL時の最大動作電流 (ITEC, EOL) | EOL時のTEC最大動作電圧 (VTEC, EOL) |
A | 902 | 2 | 2.3 | 3.8 |
B | 1200 | 2.15 | 2.4 | 3.9 |
C | 1400 | 2.3 | 2.6 | 4.2 |
D | 18000 | 2.5 | 3.0 | 4.5 |
注意
TEC最大動作電流/TEC最大動作電圧は、環境温度75°C、ダイ温度25°C、及びLD出力電力Pop*1.1の条件下で、TECが要求する最大電流および最大電圧を意味します。
表2-4 光ファイバータイプオプションパラメータとファイバーのパラメータ
ファイバータイプ「FF | ファイバータイプ | カットオフ波長 (nm) | クラディング直径 (μm) | コーティング直径 (μm) | コア/クラッド同心度 (μm) | モードフィールド直径 (MFD) @980nm (μm) |
PM | PM980 | ≤970 | 125±1 | 250±10 | ≤0.5 | 6.55±0.55 |
SM | HI1060 | ≤970 | 125±1 | 250±5 | ≤0.5 | 5.9±0.5 |
2-5仕様表
仕様 | 符号 | 記号 | 最小値 | 典型值 | 最大値 | 注記 |
しきいち電流 | Ith | mA |
|
| 110 |
|
13dB帯域幅 | Δλ | nm |
|
| 1 |
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FBG温度ドリフト係数 | Δλp/ΔT | nm/℃ |
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| 0.02 |
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出力安定性 | ΔPf_t |
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| 0.5% | Device power level 4000 or 5200; PV value, optical power 100mW ~ Pop, BOL, sampling frequency 1Hz, sampling time 1min; |
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| 5% | Device power level 7000; PV value, optical power 100mW ~ Pop, BOL, sampling frequency 1Hz, sampling time 1min; |
3dB帯域幅中心波長安定性 | Δλp | nm |
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| 0.05 | Device power level is 4000 or 5200; 50mW ≤ Pf ≤ Pop, Δλp=Max(λp)-Min(λp), in an hour |
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| 0.5 | Device power level is 7000; 50mW ≤ Pf ≤ Pop, Δλp=Max(λp)-Min(λp), in an hour |
中心波長 | λC | nm | 973 |
| 975.3 |
|
バックライトPDレスポンシビリティ | RMPD | μA/mW | 0.1 |
| 20 | Pf=Pop, Vr,PD=5V |
バックライトPD暗電流 | ld | nA |
|
| 300 | Vr,PD=5V |
信号対雑音比 | SNR | dB | 20 |
|
| 50mW ≤ Pf ≤ Pop |
注意
上記の仕様は、特に指定がない限り、次のデバイス動作条件に基づいています：ケース温度範囲は -5°C ~ +75°C、FBG温度範囲も -5°C ~ +75°C、LD（レーザーダイオード）の動作設定温度は 25°C であり、これは任意のケース温度においても設定されます。PD（フォトダイオード）のバイアス電圧は -5V と設定されています。
