応答波長範囲: 900~1700 nm 、材質:InGaAs、アクティブエリア 50μm、TO-46パッケージ、SMF-28Eファイバー結合 + FC/APC
| 型番 : PL-1700-IGA-AR0050 -FSA |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
| 在庫数量 : [お問い合わせください] |
| 在庫番号 : E80040042 |
| メールでお問い合わせくださいお見積り依頼(RFQ) |
PL-1700-IGA-AR0050-FSAは、50μmのInGaAsアバランシェフォトダイオード(APD)を使用し、3ピン同軸パッケージに密封(ハーメチック)されたデバイスです。このAPDは、シングルモードファイバーピグテイルに接続されており、光信号の高感度な検出と信号伝送を実現します。
主な特長
低ノイズおよび過負荷耐性に優れたLAPD 3050同軸APDを採用。
本デバイスは、OTDR(光時分割反射計測器)やラインレシーバー、その他の光レベル検出および信号伝送アプリケーションに最適です。
アクティブエリアサイズに対応する任意の光ファイバーにピグテイル接続が可能です。
ピグテイル仕様
ピグテイルのコア径は3μm~100μmの範囲で選択可能です。
標準長さは1メートルですが、任意の長さやコネクタ終端仕様を指定できます。
コネクタタイプ:ST、FC、SC、LC。
コネクタ研磨タイプ:PC(プレシジョンコネクタ)またはAPC(角度研磨)を選択可能です。
電気的/光学的特性(Tsub=25°C、定常バイアス(CW)を除き、特に記載がない場合)
パラメータ | 記号 | テスト条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
感度スペクトル | λ | - | 900~1700 | ㎚ | ||
アクティブ直径 | φ | - | 50 | µm | ||
感度 | Re | λ=1.55μm,M=10,φe=1μw | 8.5 | A/W | ||
乗算増幅率 | Mmax | λ=1.55μm,φe=1μw | 20 | |||
逆方向破壊電圧 | VBR | D=100mA,φe=0 | 40 | 50 | 60 | Ⅴ |
パンチスルー電圧 | Vpt | λ=1.55μm,φe=1μw,M=1.1 | 20 | 30 | Ⅴ | |
動作電圧範囲 | Vop | λ=1.55μm,φe=1μw | 18 | 20 | Ⅴ | |
暗電流 | ID | M=10,φe=0 | 2 | 10 | nA | |
静電容量 | C | M=10,φe=0 | 0.5 | PF | ||
-3dB帯域幅 | BW | VR=5V,f0=100MHz,RL=50D | 1.8 | 2.0 | GHZ | |
動作電圧温度係数 | δ | Tc=-40~+85℃ | 0.10 | 0.15 | V/℃ | |
動作電圧 | VR | 30 | Ⅴ | |||
注記
動作電圧(Vop)>パンチスルー電圧(VPt)
動作電圧範囲:VBR - VP
TOパッケージの場合の静電容量は0.4pF、ピグテールパッケージの場合の静電容量は0.5pFです。
典型特性曲線

図1:光電流および暗電流VS逆電圧

図2:容量vs逆電圧

図3:乗算係数VS入力光パワー

図4:帯域幅VS倍増係数
温度vs暗電流特性

温度と破壊電圧特性
Break down Voltage(V)

Temperature(℃)
応用回路例
