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  • 850～910nm 56G baud PINチップ

    • 850～910nm 56G baud PINチップ


    応答波長：840～910 nm、受光径：32 µm、帯域幅：34 GHz、材料：InGaAs 受光感度：0.55 A/W（@850 nm）または 0.65 A/W（@910 nm）

    型番  :  LP-PD5032
    価格  :  USD [お問い合わせください]
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    お薦め

    LP-PD5032 56Gbaud 高速PINフォトダイオードチップLP-PD5032は、次世代光通信の厳しい要求に対応するために設計された高性能850～910nm PINフォトダイオードチップです。本チップはGSG（Ground-Signal-Ground）電極構造を採用し、32 μmの受光領域を有しており、高速データ伝送を実現しながら信号干渉を最小限に抑えます。


      パラメータ

    記号

    最小値

    代表値

    最大値

    単位

    条件

     応答波長範囲

    λ

    840

    850

    910

    nm


      受光感度）

     

    R


    0.55


    A/W

    λ=850nm


    0.65


    A/W

    λ=910nm

     暗電流

    ID


    0.3

    1.0

    nA

    VR=-5V

      容量

    C


    0.12

    0.15

    pF

    VR=-2V, f= 1MHz

     帯域幅

    Bw


    34.0


    GHz

    VR=-2V 3dB down, RL=50Ω

    Note:（Tc = 25℃、シングルダイ）


    絶対最大定格

    パラメータ

    記号

    値

    単位

    逆電圧

    VRmax

    20

    V

    動作温度

    Topr

    -40 to +85

    ℃

    保存温度

    Tstg

    -55 to +125

    ℃


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    10年以上の実績
    50+
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    累計1万台以上販売
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