850-910nm 56G baud PIN PD Chip


Response wavelngth 840-910nm, Active area diameter 32µm, Bandwidth 34GHz, Material InGaAs, Responsivity 0.55A/W@850nm or 0.65A/W@910nm

型番  :  LP-PD5032
価格  :  USD [お問い合わせください]
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LP-PD5032 56Gbaud High-Speed PIN Photodiode ChipThe LP-PD5032 is a high-performance 850-910nm PIN photodiode chip designed to meet the rigorous demands of next-generation optical communications. Featuring a specialized GSG (Ground-Signal-Ground) electrode structure and a 32um active area, this chip is optimized for high-speed data transmission with minimal signal interference.


Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test CondDitions

Response range

λ

840

850

910

nm


Responsivity

R


0.55


A/W

λ=850nm


0.65


A/W

λ=910nm

Dark current

ID


0.3

1.0

nA

Vr=-5V

Capacitance

C


0.12

0.15

pF

VR=-2V, f=1MHz

Bandwidth

Bw


34.0


GHz

VR=-2V 3dB down, RL=50Ω

Note: (Tc=25℃, Single Die)


Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Reverse voltage

VRmax

20

V

Operating temperature

Topr

-40 to +85

Storage temperature

Tstg

-55 to +125

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