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  • 850～910nm 56Gbaud 1×4 アレイPINフォトダイオードチップ

    • 850～910nm 56Gbaud 1×4 アレイPINフォトダイオードチップ


    応答波長：840～910 nm帯域幅：34 GHz、材料：InGaAs、受光感度：0.55 A/W（@850 nm）または 0.65 A/W（@910 nm）

    型番  :  LP-PD4x5032
    価格  :  USD [お問い合わせください]
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    在庫数量   :   [お問い合わせください]
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    お薦め

    LP-PD4x5032は、LD-PD PTE. LTD.によって設計された高性能850～910nm 56Gbaud 1×4アレイPINフォトダイオード（PD）チップです。
    本製品は次世代光通信向けに開発されており、PAM4高速データ伝送アプリケーション向けに最適化されています。

      パラメータ

    記号

    最小値

    代表値

    最大値

    単位

    条件

     応答波長範囲

    λ

    840

    850

    910

    nm


      受光感度）

    R


    0.55


    A/W

    λ=850nm


    0.65


    A/W

    λ=910nm

     暗電流

    ID


    0.3

    1.0

    nA

    VR=-5V

      容量

    C


    0.12

    0.15

    pF

    VR=-2V, f= 1MHz

     帯域幅

    Bw


    34.0


    GHz

    VR=-2V3dBdown, RL=50Ω

    Note:（Tc = 25℃、シングルダイ）


    絶対最大定格

    パラメータ

    記号

    値

    単位

    逆電圧

    VRmax

    20

    V

    動作温度

    Topr

    -40 to +85

    ℃

    保存温度

    Tstg

    -55 to +125

    ℃

     


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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2026 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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