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  • 850-910nm 56Gbaud 1x4 Array PIN PD Chip

    • 850-910nm 56Gbaud 1x4 Array PIN PD Chip


    Response wavelngth 840-910nm, Bandwidth 34GHz, Material InGaAs, Responsivity 0.55A/W@850nm or 0.65A/W@910nm

    型番  :  LP-PD4x5032
    価格  :  USD [お問い合わせください]
    納期  :   [お問い合わせください]
    在庫数量   :   [お問い合わせください]
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    お薦め

    The LP-PD4x5032 is a high-performance 850-910nm 56Gbaud 1x4 Array PIN Photodiode (PD) chip designed by LD-PD PTE.LTD.. Engineered for next-generation optical communications, this array is optimized for high-speed data transmission in PAM4 applications.

    Parameter

    Symbol

    Min

    Tpye

    Max

    Unit

    Test conditionns

    Response range

    λ

    840

    850

    910

    nm


    Responsivity

    R


    0.55


    A/W

    λ=850nm


    0.65


    A/W

    λ=910nm

    Dark current

    ID


    0.3

    1.0

    nA

    VR=-5V

    Capacitance

    C


    0.12

    0.15

    pF

    VR=-2V, f= 1MHz

    Bandwidth

    Bw


    34.0


    GHz

    VR=-2V 3dB down, RL=50Ω

    Note: (Tc=25℃, Single Die)


    Absolute Maximum Ratings

    Parameter

    Symbol

    Value

    Unit

    Reverse voltage

    VRmax

    20

    V

    Operating temperature

    Topr

    -40 to +85

    ℃

    Storage temperature

    Tstg

    -55 to +125

    ℃

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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2026 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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