応答波長:1480–1620 nm、帯域幅:85 GHz、材料:InGaAs、検出器応答度:0.45 A/W @1550 nm
| 型番 : BPD-85G-A |
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BPD85は「プッシュプル」構成のInGaAsフォトダイオードであり、各フォトダイオードは最大+14 dBmの高光入力パワーに対応可能です。
高いコモンモード除去比(CMRR)と低い偏光依存損失(PDLを備えており、デジタルおよびアナログ用途の両方に最適です。
また、広帯域の波長応答により、マルチ波長での使用が可能です。
特に記載がない限り、すべての試験は25°Cで実施されます。
パラメータ | 記号 | テスト条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
動作温度 | T0 | 0 | 75 | ℃ | ||
保存温度 | Ts | -40 | 85 | ℃ | ||
動作波長 | λ | 1550 | nm | |||
バイアス電圧 | Vb | 3 | 5 | V | ||
受光面径 | Ф | 20 | μm | |||
飽和光パワー | Ps | λ = 1550 nm, Vb = 5 V | 9 | 10 | dBm | |
応答度 | R | λ = 1550 nm, Vb = 5 V | 0.45 | A/W | ||
応答度不均衡 | Imb | 1.50% | ||||
暗電流 | Id | Vb = 5 V | 5 | 100 | nA | |
3 dB帯域幅 | BW | Ps,o = 0 dBm, Vb = 5 V | 25 | 26 | GHz | |
コモンモード除去比(CMRR) | CMRR | Ps,o = 0 dBm, Vb = 5 V | 18 | 20 | dB |
絶対最大定格(T = 51°C、IF = 2.5 mA)
パラメータ | 記号 | 単位 | 典型値 |
光パワー | Ps | 13 | dBm |
順方向電圧 | Vr | 10 | V |
動作温度 | Top | -40 ~ +70 | °C |
保存温度 | Tstg | -40 ~ +85 | °C |
はんだ付け温度 | Tp | 260 (10s) | °C |
最小ファイバ曲げ半径 | Rfiber | 20 | mm |
レスポンシビティカーブ

CMRR値

S21特性曲線
