φ0.8mm InGaAs APD


応答波長範囲:1000~1700 nm、パッケージ:TO-8 パッケージ、−3 dB 帯域幅:150 MHz、前置増幅器モジュール内蔵、オプション:温度センサ AD590

型番  :  PL-1700-IGA-QD0.8-TO8
価格  :  USD [お問い合わせください]
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本シリーズは、InGaAs アバランシェフォトダイオード(APD)とハイブリッド前置増幅器を、同一の気密封止 TO-8 パッケージに集積した構成を採用しており、超低ノイズ動作を実現します。搭載されている InGaAs APD は 1550 nm 波長帯に最適化されており、近赤外通信用途において高い感度と安定した性能を発揮します。

光電特性(Tc=22±3℃、VCC/VEE=±5V、AC負荷抵抗=50Ω)

パラメータ

記号

 試験条件

最小値.

代表値.

最大値

単位

応答スペクトル

λ

1000~1700

nm

有効径(アクティブ径)

D

500

μm

逆方向ブレークダウン電圧

VBR

DC ID = 100 μA、光入力パワー φe = 0

30


70

V

動作電圧

VR

アバランシェゲイン M = 10

0.90×VR

V

感度

RV

M = 10、λ = 1.55 μm、パルス幅 TW = 100 ns、出力パルス反転

300



kV/W

ダイナミックレンジ

DY

M = 10、λ = 1.55 μm

25



dB

−3 dB帯域幅

BW

M = 10、λ = 1.55 μm、パルス幅 TW = 100 ns


40


MHz

立上り/立下り時間

tr

M = 10、λ = 1.55 μm、パルス幅 TW = 100 ns


7


ns

雑音等価電力(NEP)

NEP

M = 10、f = 100 kHz、Δf = 1.0 Hz

0.16

1

pW/ √Hz

出力インピーダンス

RO

VCC/VEE=±5V


50

Ω

出力電圧スイング

VO

-

0.7



V

オフセット電圧

Voffset

-


0


V

正電源電流

ICC

VCC/VEE=±5V


30

mA

負電源電流

IEE


10

mA

温度係数

σ

-55℃~+85℃


0.12


V/℃

同軸度(コンセントリシティ)

△D

-



50

μm

 

絶対最大定格値

パラメータ

記号

定格値

単位

APD電源電圧

VR

VBR

V

動作温度

TC

-45~+85

保存温度

TSTG

-55~+100

最大光入力パワー

Pin

100

mW

モジュール電源電圧(AC主電源)

Vcc/VEE

±6

V

消費電力

Pw

250

mW

はんだ付け温度(時間)

-

300(10s)

 

ブロック図



APD1.png

1 モデル回路図



APD2.png

2 モジュール光学図


代表的性能曲線(Tc=22±3℃、VCC/VEE=±5V、AC負荷抵抗=50Ω)

APD3.jpg


APD4.jpg


APD8.jpg



関連

名称 モデル 価額
φ0.2mm InGaAs APD [PDF]

PL-1700-IGA-QD0.2-TO8

[お問い合わせください]
φ0.5mm InGaAs APD [PDF]

PL-1700-IGA-QD0.5-TO8

[お問い合わせください]

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