薄膜リチウムニオベート（TFLN）超高帯域幅強度変調器は、当社が独自に開発した高性能電気光学変換デバイスで、完全な知的財産権を有しています。本製品は高精度光結合・組立技術によりパッケージ化されており、電気光学3 dB帯域幅は最大70 GHzに達します。従来のバルク型リチウムニオベート結晶変調器と比較して、低ハーフウェーブ電圧（Vπ）、高い安定性、コンパクトサイズ、熱光バイアス制御が特長です。デジタル光通信、マイクロ波フォトニクス、バックボーン通信ネットワーク、関連分野の研究用途に広く適用可能です。

製品仕様：Cバンド

*　カスタマイズ可能

 * ご要望に応じて高消光比（>25 dB）対応可能

損傷閾値

デバイスが最大損傷閾値を超えて動作すると、元に戻らない損傷を引き起こす可能性があります。

S21 試験サンプル画像（典型値 90 GHz）

Figure 1: S21 

Figure 1: S11

静電気放電（ESD）保護

本製品にはESD（静電気放電）に敏感な部品（MPD）が含まれています。使用時には必要なESD保護対策を講じる必要があります。