40G 電気光学式強度 TFLN 変調器チップ


動作波長:1530〜1565 nm、動作帯域幅:40 GHz

型番  :  TFLNC40GH
価格  :  USD [お問い合わせください]
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UFPは、さまざまなフォーマットおよびデータレートに対応した薄膜リチウムニオベート(TFLN)変調器チップを提供しています。例として、800 Gbps用途向けのDR8および2 × FR4(各レーン100 Gbps)、1.6 Tbps用途向けのDR4(各レーン400 Gbps)があります。豊富な経験とノウハウを活かし、AFRのエンジニアが顧客の特定要件に合わせたカスタマイズに対応可能です。

製品仕様(明記がない限り、すべての試験は25°Cにて実施)

パラメータ

記号

テスト条件

最小値

典型値

最大値

単位

動作波長

λ


1550(C band)

nm

挿入損失

IL

1550nm 0dBm CW


4

4.5

dB

RF 半波電圧

1550nm CW  f mod=50kHz


3.3

3.5

V

3 dB 帯域幅

S21


40/60

GHz

消光比 (ER)

ER


20



dB

RF 反射損失

S11




-10

dB

熱チューニング抵抗

R



80


Ω

熱チューニング



50


mW

入出力導波路モードフィールド

MFD


4/9

μm

 

絶対最大定格

パラメータ

記号

定格値

単位

入力光パワー

Ps,o

23

dBm

入力光反射損失

Ps,rf

23

dBm

TEC電圧

VH

±8

V

  動作温度

TW

-40  +85

保管温度

TS

-40  +85

 



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ネーム モデル 価額
60G 電気光学式強度 TFLN 変調器チップ [PDF]

TFLNC60GH

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