動作波長:1530〜1610 nm、動作帯域幅:40 GHz
| 型番 : AM40L |
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薄膜型ニオブ酸リチウム光変調器(TLNMシリーズ)は、1.5V未満の極めて低い駆動電圧と最大110GHzの広帯域動作を実現し、従来のニオブ酸リチウム変調器と比較して、優れた効率と高性能を提供します。薄膜LiNbO₃技術を活用した低サイズ化された導波路構造により、RF-to-Optical変換が最適化され、超高周波帯の電気信号-光信号変換アプリケーションに適しています。
マイクロヒーターおよびフォトダイオードを内蔵したバイアス制御機構により、高度なフィードバック制御を通じて安定した光バイアス動作を保証します。高速変調はSMA RFコネクタによって実現され、バイアス制御は専用ピンによって行われます。また、オプションで自動バイアスコントローラにも対応し、さらなる安定性を確保できます。用途に応じたカスタム設計にも対応可能です。
製品仕様(明記がない限り、すべての試験は25°Cにて実施)
パラメータ | 記号 | テスト条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
動作帯域幅 | S21 | 2 GHz から | 40 | GHz | ||
反射損失 | S11 | -10 | dB | |||
動作波長 | λ | 1550 | nm | |||
挿入損失 | IL | 1550 nm CW, 0 dBm | 4 | 4.5 | 5 | dB |
消光比 | ER | 20 | dB | |||
半波電圧 | Vπ | 1550 nm CW, f = 50 kHz | 1.3 | 3.5 | V |
絶対最大定格
パラメータ | 記号 | 定格値 | 単位 |
入力光パワー | Ps,o | 23 | dBm |
入力光反射損失 | Ps,rf | 23 | dBm |
TEC電圧 | VH | ±8 | V |
動作温度 | TW | -40 ~ +85 | ℃ |
保管温度 | TS | -40 ~ +85 | ℃ |