ゲインチップ 200 mW(905 nm 搭載キャリア上))


中心波長:905 nm、 出力光パワー:200 mW、 パッケージ:COS、ASE 帯域幅:90 nm、最小発注数量:5 個

型番  :  HP-GC-905-1-COS
価格  :  USD [お問い合わせください]
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ゲインチップは、可変波長ダイオードレーザや高安定外部共振器型ダイオードレーザ を構築するための重要なコンポーネントです。
標準的なレーザダイオードチップとは異なり、ゲインチップは 片面または両面に深い反射防止(AR)コーティング が施されており、自己発振閾値の大幅な向上 や 自己発振の防止 を可能にします。

一般的な外部共振器型ダイオードレーザの構成には Littrow 型 や Littman/Metcalf 型 があり、回折格子を用いて目的波長の光を入射方向に反射させます。波長のチューニングは 格子の回転によって実現 されます。
共振器内のレンズで拡張されたビームを格子に集光し、零次光 をレーザ出力として使用するのが一般的です。

推奨動作点

パラメータ

単位

電流

400

mA

順方向電圧

1.8

V

ヒートシンク温度

25

 

連続波(CW)動作時の期待チューナビリティパラメータ

推奨動作点、外部共振器:Littman 構成、フィードバック:200%

パラメータ

単位

 最大出力波長(λₘₚ)

920

nm

  λₘₚ における光出力

200

mW

 チューニング範囲の中心波長

905

nm

 波長ロック範囲

90

nm

 パラメータ

単位

 チップ共振器長

1.5

mm

  前面ファセット反射率(AR コート済み)

<0.001

%

 背面ファセット反射率(HR コート済み)

99

%


絶対最大定格

パラメータ

最小値

最大値

単位

逆方向電圧


1

V

順方向電流


600

mA

保存温度範囲(元の密封パッケージ内)

5

50

動作温度範囲

20

40

典型性能(外部共振器なし、CW、ヒートシンク温度 25°C)

 


L-Iカーブ

GP2.png


ASEスペクトル

GP3.png


典型性能(外部共振器なし、CW、ヒートシンク温度 25°C、Littman 構成、20% フィードバック、Thorlabs GR-25-1208 グレーティング)出力光パワー:920 nm における値


GP4.png


光スペクトル(150 mA、分解能 0.025 nm)


GP5.png



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