検出器仕様および構成パラメータ

有効ピクセル径

d

—

—

25

—

μm

動作波長

λ

—

1000

—

1650

nm

出力信号振幅

Vout

2.5

3.3

5.0

V

消費電力

PDC

VIN =12.0V，Tth=-30℃±5℃

—

15.0

—

W

入力電圧

VIN

—

—

12

—

V

入力電流

IIN

VIN =12.0V，Tth=-30℃±5℃

1.5

—

A

動作周囲温度

TA

—

-40

—

55

℃

重量

Wt

—

—

—

300

g

検出器サイズ

SC

—

89 ×62 ×30

mm

性能パラメータ

光子検出効率

PDE

TA=25±5℃，Tth=-30℃±5℃，

τ=0.8 μs±0.1 μs，λ=1550±50nm(InGaAs)，λ=1064±10nm(InGaAsP)

10

15

—

%

ダークカウントレート（InGaAs）

DCR(PDE=10%)

—

—

10

kHz

ダークカウントレート（InGaAsP）

DCR(PDE=10%)

—

—

5

kHz

アフターパルス確率

APP(PDE=10%)

—

—

20

%

Tth: InGaAsアバランシェフォトダイオードチップの動作温度

τ: デッドタイム

上記パラメータの測定時の周囲温度: TA = 25 ± 5℃

パラメータ設定範囲

1

検出器動作温度

-30℃～30℃、最小ステップ値：0.1℃

2

デッドタイム調整

0.1μs～2.0μs、ステップ値：0.025μs

3

アバランシェ電圧しきい値調整

50.0V～85.0V、ステップ値：0.1V

4

ガイガーアバランシェ比較電圧設定

0.35V～1.10V、ステップ値：0.01V

5

検出器動作ゲート幅および動作周期の調整

動作ゲート幅：≥0.1μs、動作周期：＞0.1μs、ステップ値：0.01μs

No.

パラメータ

定格値

推奨動作条件

1

検出器動作温度

-30℃~0℃

2

デッドタイム値

0.80μs

3

アバランシェ電圧しきい値調整

詳細は試験報告書を参照してください

4

ガイガーアバランシェ比較電圧設定

0.45V～0.90V