分光応答波長範囲

—

950

1650

nm

逆方向ブレークダウン電圧 VBR

IR=10 μA ，Φe=0

60

85

V

感度Re

Φe=1μW，VR=(VBR-1)V, λ=1550 nm±50 nm

8

A/W

暗電流 ID

VDC =(VBR-1) V，Φe=0

1

nA

静電容量 Ctot

VDC =(VBR-1) V，f=1MHz

—

0.6

pF

内蔵抵抗（Re）

I=200μA,Φe=0

200±50

KΩ

ブレークダウン電圧の温度係数 η

TC =-45～+30℃ , IR =10μA，φe=0

0.10

0.15

V/℃

単一光子検出効率（PDE）

λ=1550nm

15

%

暗カウント率（DCR）

PDE=15%

10

kcps

アフターパルス確率（APP）

PDE=15% ，λ=1550nm ， Δt=1us

15

%

絶対最大定格

1

保管温度 TSTG

-50℃～+85℃

2

動作環境温度 TC

-50℃～60℃

3

はんだ付け温度 Tsld（時間）

260℃（10s）

4

逆方向直流バイアス電圧 VDC

VBR+5 V

5

入力光パワー φe（連続）

1 mW

6

順方向電流 IF（連続）

200 μA

7

静電気感度 ESD

≥300 V

8

ピグテール引張力

3.0 N

推奨動作条件

1

APD チップ動作温度 Tth

-50℃～-30℃

2

逆方向直流バイアス電圧 VDC

VBR+1V～VBR+5V