特に指定のない場合、チップ温度（TC） = 25 ± 5 ℃

有効検出面直径 (d)

-

25

-

μm

受光スペクトル範囲

-

950

1650

nm

逆方向ブレークダウン電圧 (VBR)

IR=10 μA，Φe=0

60

85

V

感度 (Re)

Φe=1μW，VR=(VBR-1)Ｖ，λ=1550 nm±50 nm

8

-

A/W

暗電流 (ID)

VR=VBR-1Ｖ，φe=0

-

1

nA

静電容量 (Ctot)

VR =VBR-1V，f=1MHz

-

0.6

pF

ブレークダウン電圧温度係数 (ŋ)

TＣ=-45～+30℃，IR =10μA，φe=0

0.1

0.15

V/℃

単一光子検出効率 (PDE)

TA = -40±5℃，fg = 10 MHz，fP = 100 kHz，

15

-

%

DCR = 10 kHz，λ = 1.55μm

  暗カウント率 (DCR)

TA = -40±5℃，fg = 10 MHz，fP = 100 kHz，

-

10

kHz

SPDE = 15%，λ = 1.55μm

 アフターパルス確率 (APP) (2 uS)

TA = -40±5℃，fg = 10 MHz，fP = 100 kHz，

-

2

%

SPDE = 15%，Δt=1us，λ = 1.55μm

時間ジッタ (TJ)

SPDE=15%

-

800

ps

絶対最大定格

1

保管温度 (TSTG)

-50℃～+85℃

2

 動作環境温度 (Tc)

-50℃～60℃

3

 はんだ付け温度 (Tstd, 時間)

260℃（10s）

4

逆方向直流バイアス電圧 (VDC)

VBR +5V

5

 入力光パワー (φe, 連続)

1mW

6

 順方向電流 (IF, 連続)

200μA

7

  静電気耐性 (ESD)

≥300V

8

 ピグテール引張強度

3.0N

推奨動作条件

1

APD チップ動作温度 (Tth)

-50℃～-30℃

2

逆方向直流バイアス電圧 (VDC)

VBR+1V～VBR+5V