スペクトル応答範囲

800～1700nm

アクティブエリア

Φ1 .omm

Φ2.0mm

Φ3.0mm

Φ5.0mm

Φ8.0mm

Φ10.0mm

応答時定数

10ns

25ns

120ns

300ns

650ns

1200ns

帯域幅範囲

DC～13MHz

DC～11MHz

DC～4MHz

DC～1MHz

DC～100KHz

DC～10KHz

ゲイン範囲

Hi-Z   load ：1.51kV/A～4.75MV/A；50Ω   load：0.75kV/A～2.38 MV/A

信号振幅

Hi-Z   load：0～ 10V；50Ω load：0～ 5V

ゲイン調整方式

ロータリーギア調整：0～70 dB、ギアごとに 10 dB、全 8 段

補足：帯域幅はゲインに反比例します

アクティブエリア深さ

0.13"   (3.3 mm)

検出器正味重量

0.10kg

動作温度

10～40℃

保存温度

-20～ 70℃

外形寸法

2.79"   X 2.07" X 0.89" (70.9 mm X 52.5 mm X 22.5 mm)

NEP

6.1x10^-11～2.28x10^-12 W/Hz^1/2

4.6x10^-11～2.24x10^-12 W/Hz^1/2

3.8x10^-11～2.17x10^-12 W/Hz^1/2

2.2x10^-11～2.01x10^-12 W/Hz^1/2

1.5x10^-11～1.57x 10^-12 W/Hz^1/2

–

電源インターフェース

電源スイッチ

信号インターフェース

ゲイン調整

ストラットインターフェース

光学インターフェース

LUMBERG RSMV3 メス

LED表示付きスライドスイッチ

BNC メスソケット

8 段ノブ

M4 X 2

SM1 X1   SM0.5 X 1

ゲイン (Hi-Z)

1.51X10³V/A

ゲイン (Hi-Z)

4.75X10³V/A

ゲイン (Hi-Z)

1.5X10⁴V/A

ゲイン(Hi-Z)

4.75X10⁴V/A

ゲイン(50Ω)

0.75X10³V/A

ゲイン (50Ω)

2.38X10³V/A

ゲイン (50Ω)

0.75X10⁴V/A

ゲイン(50Ω)

2.38X10⁴V/A

帯域幅 (BW)

12MHz

帯域幅 (BW)

1.6MHz

帯域幅(BW)

1MHz

帯域幅(BW)

260kHz

ノイズ(RMS)

258μV

ノイズ(RMS)

192μV

ノイズ(RMS)

207μV

ノイズ(RMS)

211μV

40dB

50dB

60dB

70dB

ゲイン (Hi-Z)

1.51X10⁵V/A

ゲイン(Hi-Z)

4.75X10⁵V/A

ゲイン (Hi-Z)

1.5X10⁶V/A

ゲイン (Hi-Z)

4.75X10⁶V/A

ゲイン (50Ω)

0.75X10⁵V/A

ゲイン(50Ω)

2.38X10⁵V/A

ゲイン (50Ω)

0.75X10⁶V/A

ゲイン (50Ω)

2.38X10⁶V/A

帯域幅   (BW)

90KHz

帯域幅 (BW)

28KHz

帯域幅 (BW)

9kHz

帯域幅 (BW)

3kHz

ノイズ(RMS)

214μV

ノイズ (RMS)

234μV

ノイズ(RMS)

277μV

ノイズ(RMS)

388μV

信号バイアス

±8mV(Typ.) ，±12mV(Max)