1550 nm SM VCSELレーザ


中心波長: 1550 nm、光出力: 0.5 mW、波長許容差: ±0.5 nm、スペクトル幅: 100 MHz、TEC 内蔵、SMF-28E 光ファイバ、FC/APC コネクタ

型番  :  PL-VCSEL-1-A81-W1550-CPSA
価格  :  USD [お問い合わせください]
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PL-VCSEL-1-A81-W1550 1550 nm VCSEL は、垂直発光型 MOVPE 成長 GaAsP/AlGaAs 単一モードダイオードレーザです。チップは 14 ピンバタフライパッケージに搭載されています。波長チューニングはレーザ電流および温度チューニングで可能です。パッケージには TEC および PD が内蔵されています。
当社の 1550 nm 単一モード VCSEL は、高速・高性能通信アプリケーション向けに設計されています。


条件:TOP = 20℃、IOP = 10.0 mA(特に記載のない場合)
※TOP = チップ裏面温度(TEC により制御)

パラメータ

記号

最小値

典型値

最大値

単位

備考

 発光波長

λR

1530-1570nm

 閾値電流

ITH


2


mA


 出力パワー

Popt

0.5



mW


 閾値電圧

UTH


1.8


V


 駆動電流

IOP



15

mA

Popt = 0.5mW

 レーザ電圧

UOP


3


V

Popt = 0.5 mW

  電気光変換率

ηWP


12


%

Popt = 0.5 mW

  スロープ効率

ηS


0.3


W/A


 立ち上がり・立ち下がり時間

Tr /Tf


90/120


Psec


微分直列抵抗

RS


100

200

Ω

Popt = 0.5 mW

  3 dB 帯域幅

ν3dB

0.10



GHz

Popt = 0.5 mW

ESD 保護ダイオードにより

 相対強度雑音(RIN)

RIN


-130

-120

dB/Hz

Popt = 0.3 mW @ 1 GHz

 電流による波長チューニング



0.6


nm/mA


 温度による波長チューニング



0.06


nm/K


 熱抵抗(VCSEL チップ)

Rthermal

3


5

K/mW


 サイドモード抑制


35



dB

I  = 2 mA

 ビーム発散角

θ

10


25

°

Popt = 0.5mW, 全幅 1/e2

  スペクトル幅



100


MHz

Popt = 0.5 mW

  TEC 電流

Itc

-150(Heating)


+300(Cooling)

mA

適切なヒートシンクが必要

 NTC サーミスタ抵抗


9.5

10.0

10.5

T=25℃@10 KΩ

 

スペクトル



vs1.jpg


L-Iカーブ(T@25°C)

vs2.png


温度/波長チューニング(TEC 電流による)*

vs3.png



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