LD-PD PTE.LTD の InAsSb 増幅型フォトディテクタ は、2–11 μm の感度範囲を持ち、8 段階のゲイン調整が可能です。定量的な光電変換を実現でき、広いダイナミックレンジを備えています。そのため、さまざまな赤外光フォトエレクトリック開発用途に適しており、優れた性能と高いコストパフォーマンスを持ちます。さらに、当社は全方位の技術サポートを提供しており、中長波赤外線測定で幅広く使用されています。
性能仕様
パラメータ | 値 |
波長範囲 | 1-5um | 2-12um |
ピーク波長 | 4.5um | 10.6um |
応答時定数 | ≤120ns | 1.5ns |
D*（検出感度指標） | 2.0X1010cm·Hz1/2/W | 1.0X107cm·Hz1/2/W | 7.0X108cm·Hz1/2/W |
信号振幅 | Hi-Z load: 0～10V 50Ω load: 0～5V |
ゲイン調整方法 | 回転式ギア調整：0〜70 dB、1ギアあたり 10 dB、合計 8 ギア 帯域幅：ゲインに反比 |
感光部サイズ | 1mm X 1mm |
感光面深さ | 0.13" (3.3 mm) |
検出器正味重量 | 0.10kg |
動作温度 | 10～40℃ |
保存温度 | -20～70℃ |
外観寸法 | 2.79" X 2.07" X 0.89" (70.9 mm X 52.5 mm X 22.5 mm) |
光電応答 | ≥0.5A/W | ≥0.004A/W | ≥0.14A/W |
光学浸漬 | 浸漬レンズあり | 浸漬なし | 浸漬レンズあり |
電源インターフェース | 電源スイッチ | 信号インターフェース | ゲイン調整 | 支持ロッドインターフェース | 光学インターフェース |
LUMBERG RSMV3 メスコネクタ | スライドスイッチ（LED表示付き） | BNC メス コネクタ | 8 段階ノブb | M4 X 2 | SM1 X 1 SM0.5 X 1 |
8 段階の定量可変ゲイン設定
0dB | 10dB | 20dB | 30dB |
ゲイン (Hi-Z) | 1.51×103 V/A | ゲイン(Hi-Z) | 4.75×103 V/A | ゲイン (Hi-Z) | 1.5 ×104V/A | ゲイン (Hi-Z) | 4.75×104 V/A |
ゲイン (50Ω) | 0.75×103 V/A | ゲイン(50Ω) | 2.38×103 V/A | ゲイン(50Ω) | 0.75×104V/A | ゲイン (50Ω) | 2.38×104 V/A |
帯域幅 (BW) | 13MHz | 帯域幅 (BW) | 1.7MHz | 帯域幅 (BW) | 1.1MHz | 帯域幅 (BW) | 300kHz |
ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤250uV |
40dB | 50dB | 60dB | 70dB |
ゲイン (Hi-Z) | 1.51× 105 V/A | ゲイン (Hi-Z) | 4.75×105 V/A | ゲイン (Hi-Z) | 1.5×106V/A | ゲイン (Hi-Z) | 4.75×106 V/A |
ゲイン(50Ω) | 0.75× 105 V/A | ゲイン(50Ω) | 2.38×105 V/A | ゲイン (50Ω) | 0.75×106V/A | ゲイン(50Ω) | 2.38×106 V/A |
帯域幅 (BW) | 90kHz | 帯域幅 (BW) | 28kHz | 帯域幅 (BW) | 9kHz | 帯域幅 (BW) | 3kHz |
ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤250uV | ノイズ (RMS) | ≤300uV | ノイズ (RMS) | ≤400uV |
信号バイアス | ±8mV(Typ.), ±12mV(Max) |
MCT 応答カーブ
付録 1：オプション構成表
InAsSb 増幅型フォトディテクタ | オプション構成 |
製品名称 | 材料 | 典型例 | 特長 | 波長範囲 感光部サイズ | オプション構成予備 |
PD：フォトディテクタ | M：MCT（HgCdTe：水銀カドミウムテルル） | A（1）：拡大型 | A（2）：ゲイン可変型 | P10： 1-5um, 1mm×1mm R10 ：2-12um, 1mm×1mm | S：高感度モデル（2–12 µm） |
