スペクトル応答 350~1100nm; 光感受性サイズ Φ3.6mm、立ち上がり時間 13ns、帯域幅 25MHz
| 型番 : PDSBC3E36 |
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| 在庫番号 : A80153422 |
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LD-PD PTE.LTDのシリコン系バイアス光検出器は、感度範囲が200~1100nmで、非常に低ノイズ、応答速度が速く、増幅なしで低コストです。従来型の光検出用途に適しており、優れた性能と高いコストパフォーマンスを持っています。フルサポートが提供され、紫外線および可視光の測定でよく使用されます。
パラメータ仕様
パラメータ | 値 | ||||
波長範囲 | 200-1100nm | 350-1100nm | 320-1100nm | ||
光感受性サイズ | Φ1.0mm | Φ3.6mm | Φ10.0mm | ||
帯域幅範囲 | 350MHz | 25MHz | 10MHz | ||
立ち上がり時間(@50Ω) | 1ns | 14ns | 35ns | ||
NEP(ノイズ等価光パワー) | 5.0 × 10-14W/Hz1/2 | 1.6 × 10-14W/Hz1/2 | 2.4 × 10-14W/Hz1/2 | ||
ダークカレント | 0.3nA(Typ.)/10 nA(Max) | 0.35nA(Typ.)/6.0nA(Max) | 0.9nA(Typ.)/10nA(Max) | ||
接合容量 | 6pF(Typ.) | 40pF(Typ.) | 150pF(Typ.) | ||
バイアス電圧 | 10V | ||||
出力電流 | 0~10mA | ||||
出力電圧 | ~9V(Hi-Z);~170mV(50Ω) | ||||
光感受性表面の深さ | 0.09" (2.2mm) | 0.09" (2.2mm) | 0.13" (3.3mm) | ||
動作温度 | 10-40℃ | ||||
保管温度 | -20-70℃ | ||||
検出器ネット重量 | 0.10kg | ||||
低電圧指標 | Vout ≤9V(Hi-Z) Vout ≤170mV(50Ω) | ||||
外形寸法 | 2.79" X1.96" X0.89" (70.9mm X 49.8mm X22.5mm) | ||||
電源バッテリー | 電源スイッチ | 信号インターフェース | バッテリーモニタリング | 支持棒インターフェース | 光学インターフェース |
A23, 12VDC, 40mAh | スライドスイッチ | BNC メスコネクタ | 瞬間押しボタン | M4 X 2 | SM1 X 1 SM0.5 X 1 |
Si応答曲線

付録1: オプション構成表
シリコン系バイアス光検出器 | オプション構成 | ||||
製品名 | 材料 | タイプ | 特長 | 波長範囲アクティブエリア | 予備オプション構成 |
PD:「光検出器」" | S:シリコン系 | B:バイアスタイプ | C: 従来型 | 2B10: 200-1100nm, Φ1.0mm | |
3E36: 350-1100nm, Φ3.6mm | |||||
3D100: 320-1100nm, Φ10.0mm | |||||