波長範囲

400～1100nm

受光部径

Φ0.5mm

 APD バイアス電圧調整範囲

0 ～ 400 V

 APD ゲイン M

0 ～ 400

 応答時定数

2.5ns

 帯域幅範囲

DC~12MHZ

ゲイン範囲

Hi-Z   load: 1.51kV/A～4.75MV/A; 50Ω load: 0.75kV/A～2.38 MV/A

 信号振幅

Hi-Z   load: 0~10V; 50Ω load: 0～ 5V

 ゲイン調整方式

 ロータリーギア式調整：0～70 dB、ギア1段あたり10 dB、合計8段階

単回転ポテンショメータによるAPD自身のゲイン調整：ゲインが大きくなるほど帯域幅は狭くなります

受光面深さ

0.056" (1.5 mm)

検出器正味重量

0.11kg

動作温度

10～40℃

保存温度

-20～70℃

外形寸法

2.78"   X 2.21" X 1.20" (70.6 mm X 56.2 mm X 30.5 mm)

NEP

2.67～71.7pW/Hz1/2

電源インターフェース

電源スイッチ

信号インターフェース

ゲイン調整

支持棒インターフェース

光学インターフェース

LUMBERG コネクタ

スライドスイッチ（LED表示付き）

BNC メスソケット

単回転ポテンショメータ（8段階ノブ）

M4 X 2

SM1 X 1 SM0.5 X 1

ゲイン (Hi-Z)

1.51X10³V/A

ゲイン(Hi-Z)

4.75X10³V/A

ゲイン(Hi-Z)

1.5X10⁴V/A

ゲイン (Hi-Z)

4.75X10⁴V/A

Gain (50Ω)

0.75X10³V/A

ゲイン (50Ω)

2.38X10³V/A

ゲイン (50Ω)

0.75X10⁴V/A

ゲイン (50Ω)

2.38X10⁴V/A

帯域幅 (BW)

12MHz

帯域幅  (BW)

1.6MHz

帯域幅(BW)

1MHz

帯域幅(BW)

260kHz

ノイズ (RMS)

258μV

ノイズ (RMS)

192μV

ノイズ (RMS)

207μV

ノイズ (RMS)

211μV

40dB

50dB

60dB

70dB

ゲイン(Hi-Z)

1.51X10⁵V/A

ゲイン(Hi-Z)

4.75X10⁵V/A

ゲイン (Hi-Z)

1.5X10⁶V/A

ゲイン (Hi-Z)

4.75X10⁶V/A

ゲイン(50Ω)

0.75X10⁵V/A

ゲイン (50Ω)

2.38X10⁵V/A

ゲイン(50Ω)

0.75X10⁶V/A

ゲイン(50Ω)

2.38X10⁶V/A

帯域幅th (BW)

90KHz

帯域幅 (BW)

28KHz

帯域幅 (BW)

9kHz

帯域幅 (BW)

3kHz

ノイズ (RMS)

214μV

ノイズ (RMS)

234μV

ノイズ(RMS)

277μV

ノイズ(RMS)

388μV

信号バイアス

±8mV(Typ.) ，±12mV(Max)