1550 nmゲインチップ


中心波長:1550㎚、出力:>2mW、ASE帯域幅:50nm、SMSR:40dB、最小注文数量:5個

型番  :  GC-1550-1
価格  :  USD [お問い合わせください]
納期  :   [お問い合わせください]
在庫数量   :   [お問い合わせください]
在庫番号   :  I80040007
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ゲインチップは、外部共振器レーザーダイオードの光利得媒体として用いられる半導体光学素子です。
ゲインチップは、回折格子などの波長選択フィルターを用いて発振波長を変化させることができる TLS(可変波長光源) としても利用されます。

基本パラメータ

パラメータ

記号

試験条件

最小値

典型値

最大値

単位

中心波長

λc

If=100mA Tc=25°C

1520

-

1560

nm

  動作電流

Iop

Tc=25°C

-

250

-

mA

 順方向電圧

Vf

IF=100mA, Tc=25°C

-

1

1.5

V

スペクトル変調

M

IF=100mA, Tc=25°C

-

3

-

dB

ASE スペクトル帯域幅

BW

IF=100mA, Tc=25°C

-

50

-

nm

 ビーム角

Ang

IF=100mA, Tc=25°C

-

19.5

-

°

 ASE 出力

Po

IF=100mA, Tc=25°C

-

2

-

mW

AR 反射率

R1


-

-

0.005

%

HR 反射率

R2


-

95

-

%

 水平方向発散角

θ∥

IF=100mA, Tc=25°C

-

18

-

°

 垂直方向発散角

θ⊥

IF=100mA, Tc=25°C

-

29

-

°

 

 PIV-25°C

t3_1.png


ASEスペクトル(動作電流:100mA、分解能:0.5nm)

スペクトル平坦度:約 0.1dB3dB 帯域幅:約 50nm中心波長:約 1555nm

t5.jpg


t6.jpg


t7.jpg


発散角

t8.jpg

水平方向発散角:17.74° 垂直方向発散角:28.89°


t9.jpg


 水平方向発散角:17.64°垂直方向発散角:30.08°



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