70GHz マイクロ波フォトニクス受信機


応答波長: 1000-1650nm、3dB帯域幅 70GHz、応答度:≥0.6 A/W @1.55μm、 材料:InGaAs

型番  :  PL-MPR0070
価格  :  USD [お問い合わせください]
納期  :   [お問い合わせください]
在庫数量   :   [お問い合わせください]
在庫番号   :  E80043231
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PL-MPR0070 70GHz マイクロ波フォトニクス受信機は、内部バイアス回路を内蔵し、FC/APC 光ファイバ入力、メスVコネクタ RF 出力、密封パッケージ構造を採用しています。

本製品は高帯域幅特性を有しており、高速光通信、マイクロ波フォトニックリンク、高速試験・計測システムでの使用に適しています。


主な特性(TC=22±3℃)

パラメータ

記号

試験条件

仕様値

単位

最小値

典型値

最大値

波長範囲

λ


1000


1650

nm

光電変換効率(Responsivity)

Re

VR =5V, λ = 1.55μm, Pin =0dBm

0.5

0.6

 

A/W

3dB 帯域幅

f3dB

VR =5V, λ = 1.55μm, Pin  =0dBm, RFin=0dBm, fstrat=70kHz

68

70


GHz

振幅フラットネス

F

VR =5V, λ =1.55μm, Pin  =0dBm, 周波数範囲: 70kHz~70GHz,

±1.5

dB

飽和光パワー

PS

VR =5V, λ =1.55μm, RFin=0dBm, 周波数: f=35GHz

9

10

dBm

RF 反射損失

S22

VR =5V, λ =1.55μm, Pin  =0dBm,  周波数範囲: 70kHz~50GHz,

 —

-8.0

-6.0

dB

偏波依存損失(PDL)

PDL

λ =1.55μm ,VR  =5V

0.02

0.05

dB

ダーク電流

ID

VR =5V

1.0

10.0

nA

 

絶対最大定格

パラメータ

記号

仕様値

単位

保存温度範囲

TSTG

-45~+85

動作温度範囲

TC

-40~+70

バイアス電圧

VR

≤9

V

入力光パワー

Pin(VR=5V)

≤20

mW

  はんだ付け温度

Tsolder

260(10s)

 静電気感度

ESD

≥250

V


典型リンク応答


t2.png

1 検出器の周波数応答特性曲線


t3.png

2 飽和入力光パワー特性曲線


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