スペクトル応答:800–1700nm、帯域幅:5MHz、有効直径:2mm、立ち上がり時間:70ns、材質:InGaAs
| 型番 : PDA20A6B4G-NIR |
| 価格 : USD [お問い合わせください] |
| 納期 : 在庫あり |
| 在庫数量 : [お問い合わせください] |
| 在庫番号 : E80043147 |
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PDA-M-20A6B4G-InGaAsフォトディテクタは、定格帯域幅・固定ゲインのフォトディテクタで、光信号の検出に使用されます。光信号は光電センサー面から入力され、出力はBNC端子を介して電圧信号として得られます。本製品は、波長範囲800nm~1700nmの光信号を測定することが可能です。具体的な性能パラメータは付録の表をご参照ください。
LD-PDフォトディテクタのハウジングには1/4"-20インチねじ穴があり、容易に取り付け・固定が可能です。また、ハウジングには2種類のねじアダプタが付属しており、産業用および科学研究用途に対応可能です。外部光学部品(フィルタ、アッテネータ、レンズ、FCファイバーアダプタなど)への接続も簡単に行えます。本製品にはプラスチック製防塵カバーが付属しています。具体的な取り付け方法は第3章をご参照ください。
各フォトディテクタには、出力9VのリニアDC電源が付属しており、このDC電源の定格入力電圧は220VAC/50Hzです。
PN# | PDA10A8B4G-NIR | PDA05A7B4G-NIR | PDA10A7B4G-NIR | PDA20A6B4G-NIR | PDA30A6B4G-NIR | |
波長 | 800 - 1700 nm | 800 - 1700 nm | 800 - 1700 nm | 800 - 1700 nm | 800 - 1700 nm | |
線幅 | DC - 140MHz | DC - 25MHz | DC - 12MHz | DC - 5MHz | DC - 2MHz | |
立ち上がり時間 | 2.5 nS | 14 nS | 29 nS | 70 nS | 175 nS | |
ゲイン | Hi-Z load | 1*104 V/A | 1.2*104 V/A | 1*104 V/A | 1*104 V/A | 1*104 V/A |
50Ω load | 5*103 V/A | 6*103 V/A | 5*103 V/A | 5*103 V/A | 5*103 V/A | |
出力ノイズ(RMS) | 760µV .typ | 1mV .typ | 800µV .typ | 1.3mV .typ | 800µV .typ | |
NEP | 4.8*10-12 W/√HZ | 1.9*10-11 W/√HZ | 2.6*10-11 W/√HZ | 6.5*10-11 W/√HZ | 6.3*10-11 W/√HZ | |
有効直径 | ф1 mm | ф0.5 mm | ф1 mm | ф2 mm | ф3 mm | |
動作温度 | 10-50℃ | 10-50℃ | 10-50℃ | 10-50℃ | 10-50℃ | |
電源電圧 | ±9V | ±9V | ±9V | ±9V | ±9V | |
スペクトル感度

交流伝送特性

外観および取り付け

試験項目:
試験光源:
PN:PL-DFB-9672.4-B-A81-PA
SN:DO3431e-q2-Bo2-A19
試験条件:
25℃、レーザー電流15–23mAでスキャン。検出器出力は以下の図の通り。

本検出器は972nmにおいて高精度での検出が可能であり、また微弱光(数十マイクロワット)の検出にも対応しています。