40 μm InGaAsP/InP 単一光子アバランシェフォトダイオード(SPAD)


応答波長:900–1300 nm、 材料:InGaAsP/InP、有効面積:40 μm、検出器感度:0.75 A/W @ 1064 nm、パッケージ:TO66

型番  :  SGA-16-40-TO66
価格  :  USD [お問い合わせください]
納期  :   [お問い合わせください]
在庫数量   :   [お問い合わせください]
在庫番号   :  
メールでお問い合わせくださいお見積り依頼(RFQ)

SGA-16-40-TO66 単一光子アバランシェフォトダイオード(SPAD)は、主に InGaAsP/InP APD チップ と 2 段階熱電クーラー(TEC) で構成されています。
TO66 パッケージを採用しており、ライダー、距離測定、低光量検出、高速レーザー通信などの分野で使用可能です。
本取扱説明書は、本製品に関してのみの記述です。


光電性能特性

項目

典型値

有効光検出面径(μm)

40

*応答スペクトル範囲(μm)1

0.95 ±0.05~1.25 ±0.05

*降伏電圧 Vbr(V)2

69.8@Id=1μA

降伏電圧温度係数 ΔVbr/ΔT(V/K)

0.13

電流応答率 Ri(A/W)

0.75@1064nm, M=1

暗電流 Id(nA)

0.26@M=10

接合容量 Cj(fF)

40@90% Vbr

帯域幅 F3dB(GHz)

13@M=10

動作モード

リニア/ガイガーモード

1:焦点面温度 = 25℃

 

光学パラメータ

光学構造

本製品は InGaAs 単一光子検出チップ を採用しており、ピクセル形状は 円形、有効光検出面径は 40 μm です。
光検出面と窓上面との距離の設計値は 2.09 ± 0.15 mm であり、光学インターフェースの設計図に基づきます。
図に示す通りです。

pp3.png


光電流/暗電流特性曲線(代表値、25℃測定)

pp4.png


単一光子検出効率/ダークカウント率曲線(測定条件:100 kHz、5 ns、0.1 光子/パルス)

pp5.png

機械的仕様

項目

仕様値

 寸法(長さ×幅×高さ, mm)

31.5×17.5×16(ピン付き)

 ピクセルサイズ

単位

  パッケージ形状

TO66 パッケージ、光ファイバー結合オプションあり

 

動作環境

項目

典型値

動作温度(˚C)

-30 ~ +40

保存温度(˚C)

-55 ~ +70





ダウンロード


お見積り依頼(RFQ)

本ウェブサイト及びサービスを使用することで、閣下は当社によるクッキーの使用に同意したものとみなします。 クッキーにより、当社は会員サービスをより充実したものにするとともに、短期間に閣下の閲覧履歴を記録することができます。 OK 詳細はこちら
閉じる[X]
ショッピングカート
モデル 数量 価格 小計
合計金額:USD:
ショッピングカートを表示 決済
︿ TOP
提示