InGaAs APD フォトダイオードモジュール

応答波長: 900–1700 nm、帯域幅：AC-800M、材料: InGaAs、検出器感度: 9A/W 、モジュール、100 × 100 × 25 mm

型番 : AP-800M

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概況
仕様
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APDモジュールは、レーザーレーダー、測距、データ伝送、バイオメディカル分析など、さまざまな用途で極めて微弱な光信号を迅速かつ容易に検出できます。

本モジュールは、シリコンまたはInGaAs製の低ノイズ雪崩フォトダイオードをベースに、内蔵プリアンプと高電圧電源を備えています。温度補償機能により、広い動作温度範囲においても一定のゲインで安定した動作が可能です。

PN#	APD-50M	APD-100M	APD-200M	APD-350M	APD-800M	AP-1.6G	単位
検出器タイプ		InGaAs
波長	800-1700	800-1700	800-1700	800-1700	800-1700	800-1700	㎚
帯域幅	DC-50M	DC-100M	DC-200M	DC-350M	AC-800M	AC-1.6G	HZ
応答	9	9	9	9	9	9	A/W
トランスインピーダンス増幅	300k	300k	50k	50k	50k	300k	V/A
出力インピーダンス	50	50	50	50	50	50	Ω
飽和出力	4.2	4.2	4.2	4.2	4.2	4.2	µW
NEP	0.46	0.46	0.46	0.46	0.46	0.46	pW/Sqrt(Hz)
出力結合	DC/AC	DC/AC	DC/AC	DC/AC	AC	AC
電圧	5	5	5	5	12	12	V
電流	3(max)	3(max)	3(max)	3(max)	3(max)	3(max)	A
光入力	FC/APC	FC/APC	FC/APC	FC/APC	FC/APC	FC/APC
RF出力	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA
寸法	10010025	10010025	10010025	10010025	10010025	10010025	mm

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