応答スペクトル 400-1100nm, TO8パッケージ, 50MHz, プリアンプモジュール付き, 温度センサー搭載
| 型番 : PL-400-SIA-AR3000-TO8-TIA-50 |
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PL-400-SIA-AR0800-TO8-TIAは、50 MHzの帯域幅を持つシリコンアバランシェフォトダイオード(Si APD)アンプモジュールで、C30817シリコンアバランシェフォトダイオード(APD)が含まれています。直径0.8 mmの有効直径を持つC30950EHは、400 nmから1100 nmの範囲で優れた応答特性を提供し、改良された12ピンTO-8パッケージで供給されます。
光電子特性(Tc = 22±3℃、VCC/VEE = ±5V、AC Rl = 50Ω)
パラメータ | 記号 | 試験条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
応答スペクトル | λ | — | 400~1100 | nm | ||
アクティブ直径 | D | — | 0.8 | mm | ||
逆破壊電圧 | VBR | ダークカレントID=10μA,光出力パワー φe=0 | 200 | 450 | V | |
動作電圧 | VR | 0.90×VBR | 320 | V | ||
応答性 | RV | M=100,λ=1.06μm,パルス幅 TW=100ns | 150 | kV/W | ||
ダイナミックレンジ | DY | M=100,λ=1.06μm | 25 | dB | ||
-3dB帯域幅 | BW | M=100,λ=1.06μm,パルス幅 TW=100ns | 35 | MHz | ||
立ち上がり/立ち下がり時間 | Tr | M=100,λ=1.06μm,パルス幅 TW=100ns | 10 | ns | ||
ノイズ等価電力 | NEP | M=100,f=100kHz,△f=1.0Hz | 0.20 | pW/ √Hz | ||
出力インピーダンス | RO | 33 | Ω | |||
出力電圧スイング | VO | - | 0.7 | V | ||
オフセット電圧 | Voffset | - | -0.7 | V | ||
正電源電流 | ICC | 10 | mA | |||
負電源電流 | IEE | 10 | mA | |||
温度係数 | σ | -45℃~+70℃ | 2.4 | V/℃ | ||
同心度 | △D | - | 50 | μm | ||
典型的な性能曲線(Tc = 23±2℃、VCC/VEE = ±5V、AC Rl = 50Ω)

図1 応答性(レスポンシビリティ) vs. 波長

図2 光電流(フォトカレント) vs. 逆電圧(λ = 1.06μm)

図3 ノイズ等価電力(NEP) vs. 帯域幅