φ3mm 50MHz Si APDフォトダイオード


応答スペクトル 400-1100nm, TO8パッケージ, 50MHz, プリアンプモジュール付き, 温度センサー搭載

型番  :  PL-400-SIA-AR3000-TO8-TIA-50
価格  :  USD [お問い合わせください]
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PL-400-SIA-AR0800-TO8-TIAは、50 MHzの帯域幅を持つシリコンアバランシェフォトダイオード(Si APD)アンプモジュールで、C30817シリコンアバランシェフォトダイオード(APD)が含まれています。直径0.8 mmの有効直径を持つC30950EHは、400 nmから1100 nmの範囲で優れた応答特性を提供し、改良された12ピンTO-8パッケージで供給されます。


光電子特性(Tc = 22±3℃、VCC/VEE = ±5V、AC Rl = 50Ω)

パラメータ

記号

試験条件

最小値

典型値

最大値

単位

応答スペクトル

λ

400~1100

nm

  アクティブ直径

D

0.8

mm

 逆破壊電圧

VBR

ダークカレントID=10μA,光出力パワー φe=0

200


450

V

  動作電圧

VR

0.90×VBR

320

V

  応答性

RV

M=100,λ=1.06μm,パルス幅 TW=100ns


150


kV/W

 ダイナミックレンジ

DY

M=100,λ=1.06μm

25



dB

  -3dB帯域幅

BW

M=100,λ=1.06μm,パルス幅 TW=100ns


35


MHz

  立ち上がり/立ち下がり時間

Tr

M=100,λ=1.06μm,パルス幅 TW=100ns


10


ns

ノイズ等価電力

NEP

M=100,f=100kHz,△f=1.0Hz



0.20

pW/   √Hz

  出力インピーダンス

RO



33


Ω

  出力電圧スイング

VO

-


0.7


V

  オフセット電圧

Voffset

-


-0.7


V

  正電源電流

ICC




10

mA

  負電源電流

IEE



10

mA

  温度係数

σ

-45℃~+70℃


2.4


V/℃

 同心度

△D

-



50

μm

 

典型的な性能曲線(Tc = 23±2℃、VCC/VEE = ±5V、AC Rl = 50Ω)

P2.png

1 応答性(レスポンシビリティ) vs. 波長



P3.png

2 光電流(フォトカレント) vs. 逆電圧(λ = 1.06μm)



P4.png

3 ノイズ等価電力(NEP) vs. 帯域幅




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