InGaAs APD 四象限検出チップ


応答スペクトル:900~1700 nm、感光面寸法:4 × 1.5 mm、応答速度:1.5 ns、最小発注数量:20個

型番  :  OVQT-QA1000
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在庫番号   :  I80030009
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InGaAs APD 四象限フォトダイオードチップは、高性能な近赤外検出用デバイスです。分光感度範囲は0.9~1.7μmで、微弱光に対して高い検出感度を有し、さらに空間分解能が高く、応答速度にも優れています。
これにより、光軸の位置合わせや精密変位測定、振動検出、角度検出、さらには誘導システムなど、精度が求められる用途に幅広く使用されています。

型番r:OVQT-QA1000

パラメータ

記号

単位

測定条件

最小値

典型値

最大値

 感光面直径


μm

-

1000

  象限間隔

d

μm

-

100

  逆バイアス破壊電圧

VBR

Vm

R = 100 µA、無光状態

40

-

60

 感度

Re

A/W

1550nm,1μW  M=1

0.9

-

-

 応答時間

t

ns

F=1MHz,RL=5Ω

-

1.5

3

 暗電流

ID

nA

M=10

-

25

100

 クロストーク

SL


M=10

-

10%

-

  静電容量

C

pF

F=1MHz,M=10

-

12

15

  最大増幅利得(MAG)

M

V

VBR_1

20

-

-

 破壊電圧温度係数

n

V/℃

-40~+85℃

-

0.1

0.15

品質の信頼性: 本製品は、製品信頼性に関する Telcordia GR-468-CORE の要件を満たしています。


絶対最大定格

  パラメータ

記号

定格

動作温度

TC

-50~+85℃

 逆動作電圧

VR

0.99Vbr

順方向電流

IF

10mA

 逆方向電流

IR

2mA




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