ゲルマニウムフォトダイオードは、コスト面の要求が厳しい場合や大面積の検出器が必要な場合など、NIR領域の光パワー測定に広く使用されています。しかし、同等サイズのInGaAs検出器と比較すると、シャント抵抗が低く、暗電流が高いため、結果としてノイズレベルは高くなります。そのため、ゲルマニウム検出器は、測定対象の信号がノイズフロアを十分に上回る用途に適しています。

GPD Optoelectronicsでは、通常よりも高いシャント抵抗を有し、性能を向上させた「HSシリーズ」のゲルマニウムフォトダイオードを提供しています。

注：特に記載のない限り、すべての測定は周囲温度25 ℃で行っています。

　　受光感度はピーク波長で規定しています。

 　 NEPは光起電力モードで規定しています。

スペクトル応答

暗電流

これは暗電流のサンプル曲線です。実際の性能はフォトダイオードごとに異なる場合があります。
最大逆バイアス電圧1 Vを超えないでください。