1550nm 超狭線幅レーザーダイオードは、シリコンフォトニックチップ技術、ECL(外部共振器レーザー)技術、高度なパッケージング技術を統合した高性能半導体レーザー製品です。
本製品は、狭線幅、高光出力、安定波長、低ノイズ、低消費電力、高信頼性という特長を備えた優れた性能の半導体レーザー製品です。
用途としては、ライダー(Lidar)、コヒーレント検出、光ファイバーセンシング、医療用フォトニクス、科学研究機器、3D測定など幅広い分野で使用でき、顧客の用途に応じたカスタマイズも可能です。
1550nm 超狭線幅レーザーダイオードは、「革新・責任・卓越・顧客・献身」という企業文化を重んじ、高品質なレーザー製品とサービスをお客様に提供し続けています。
| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· 超狭線幅(≤5 kHz)
· 単一周波数、中心波長 1550 nm、Cバンド任意波長カスタマイズ対応
· 安定した出力パワーと波長
· 高出力光パワー
· 低RINノイズ
· 低消費電力
· 14ピンバタフライパッケージ
技術的優位性
· シリコンフォトニクス集積チップ技術
· 外部共振器レーザー(ECL)技術
· チューナブル光子技術による波長可変制御
· 超狭線幅レーザー出力
制限パラメータ
使用中は、環境条件およびパラメータ設定が以下の制限値を超えないようにしてください。超過すると、デバイスの性能低下、製品寿命の短縮、またはデバイスの破損を引き起こす可能性があります。
これに起因する製品の問題は、保証の対象外となります。
仕様 | 記号 | 条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値. | 単位 |
保存温度 | TS | -40 | 85 | ℃ | ||
LD 順電圧 | VLD | 1.6 | 1.8 | V | ||
LD 順電流 | ILD | 500 | mA | |||
TEC 電流 | ITEC | 1.5 | A | |||
TEC 電圧 | VTEC | 3 | V |
光学・電気パラメータ(TLD = 25 ℃)
仕様 | 記号 | 条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値. | 単位 |
閾値電流 | Ith | CW | 35 | mA | ||
中心波長 | λC | 1530 | 1550.12 | 1565 | nm | |
ファイバー光出力 | Pf | CW | 10 | mW | ||
ローレンツ線幅 * | FWHM | CW | 5 | kHz | ||
光ノイズ | PhN | 光ノイズe@10Hz | 7E+05 | Hz rms~2/Hz | ||
光ノイズe@200Hz | 6E+03 | Hz rms~2/Hz | ||||
相対強度ノイズ | RIN | ≥ 1kHz | -140 | dB/Hz | ||
SMSR | SMSR | CW | 50 | dB | ||
偏光消光比 | PER | CW | 20 | dB | ||
光アイソレーション比 | ISO | 50 | dB | |||
TEC 設定温度 | TTEC | CW | 15 | 45 | ℃ | |
動作温度 | To | -20 | 70 | ℃ | ||
動作湿度 | % | 5 | 85 | % |
時間遅延を用いた自己ヘテロダイン法によるローレンツ線幅の測定
スペクトル

L-I特性カーブ

典型ローレンツ線幅(≤ 5 kHz)


デバイスピン定義(N型ピン)
ピン | 機能 | ピン | 機能 |
1 | TEC + | 8 | NC |
2 | サーミスタ | 9 | NC |
3 | PD - | 10 | LD+ |
4 | PD + | 11 | LD- |
5 | サーミスタ | 12 | NC |
6 | NC | 13 | ケース接地 |
7 | NC | 14 | TEC - |
ピグテール及びコネクタ定義
No. | 項目 | パラメータ | 単位 | 備考 |
1 | ピグテールタイプ | Panda PMF φ0.9mm red | SMF/PMF 選択可能 | |
2 | ピグテール長さ | 1200±10 | mm | |
3 | コネクタタイプ | FC/APC |
· LiDAR
· コヒーレント検出
· 光ファイバーセンシング
· バイオメディカルフォトニクス
· 科学研究機器
· 3D測量・マッピング