852nm単一周波数・波長可変狭線幅レーザー FBG安定化     


PL-NLシリーズ ファイバーブラッググレーティングレーザーは、光計測および光通信用途向けに設計された単一周波数レーザーダイオードモジュールです。レーザーは、モニターフォトダイオード(PD)およびサーモエレクトリッククーラー(TEC)を内蔵した14ピン標準バタフライパッケージに封止されています。
本モジュールは、内蔵のミニPZTにより連続単一周波数チューニング範囲が1.2 nm以上可能です。852nmのチューナブルレーザーダイオードは、Cs分光用途に適しています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
852nm SM単一周波数 FBG 安定化チューナブル狭線幅レーザー   [PDF]  [RFQ]

PL-NL-852-A-A81-SA-PZT
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852nm PM単一周波数 FBG 安定化チューナブル狭線幅レーザー   [PDF]  [RFQ]

PL-NL-852-A-A81-PA-PZT
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パラメータ


特長

● 光出力:30mW
● 狭線幅(Δν<1MHz)
● 波長:852nm(25℃)
● 波長可変
● 単一周波数動作
● ファイバーブラッググレーティング(FBG)付き単一モードファイバー
● 単一周波数連続チューニング範囲:>1.2nm
● 電流チューニング係数:0.002 mA/nm
● 温度チューニング係数:0.08 mA/℃
● モードホップフリー範囲:30mA
● 公称波長範囲:630~1650nm
● 気密封止 14ピン DIL または 14ピン・バタフライパッケージ
● 内蔵 TEC、サーミスタ、モニタPD


電気・光学特性(E/O特性)

光学特性(レーザ温度25 °C時)

パラメータ

記号

条件

最小値

典型値

最大値

単位

中心波長

λc

TL=1~35℃ CW

851

852

853

nm

ピーク光出力

Po

-

10


30

mW

スペクトル幅

LW

-

-

1

10

KHz

SMSR

SMSR

CW

40

45

-

光アイソレーション

-

-10 < TC < +70 ºC

30

-

-

偏光消光比

ER

-

20

-

-

相対強度噪音

RIN

CW,出力 10mW

-

-

-145

/Hz

筐体温度(−10〜70 ºC)による波長ドリフト

∆λ

TL=15~35ºC

-

-

 ±30

pm


電気特性(レーザ温度25 °C時)

パラメータ

記号

条件

最小値

典型値

最大値

単位

しきいち電流

Ith

-

-

45

65

mA

傾き効率

ƞ

CW 10 mW

0.064

0.1


/mA

動作電流

Iop

CW

-

150

200

mA

TEC設定温度

Ts

-

15

-

35

ºC

レーザ順方向電圧

VF

CW output power 5mW

-

1.3

1.8

モニター暗電流

ID


-

-

0.1

μA

クーラ電圧

Ⅴc

IF=EOL, TC=70°C

-

-

2.7

V

クーラ電圧

Ic

IF=EOL, TC=70°C

-

-

1.4

A

サーミスタ抵抗

RTH

TL=25°C

9.5

10

10.5

TEC電流

ITEC

TL = 25 °C, TC = 70 °C

-

-

1.8

A

TEC電圧

ⅤTEC

TL = 25 °C, TC = 70 °C

-

-

3.5

チューニング範囲

Δf


1

-

1.5

PZTチューニング範囲

VT


0

-

150

モードホップフリー範囲

ΔI


-

3

-

mA

消光比

XP

CW 10 mW

17

-

-

dB

TEC容量

ΔT

 TC = 70 °C

-

-

50

サーミスタ温度

-

-

-

-

100


ファイバー・ピグテール仕様

パラメータ

説明

ファイバタイプ

PMファイバ

被覆タイプ

900 µm ルースチューブ

ピグテール長

1.0±0.1m

コネクタ種類

FC/APC

PMファイバ コネクタ偏光方向

右図をご参照ください


5bd1c181256a2.jpg

注意: 偏波保持ファイバー(PMファイバー)およびコネクタキーはスロー軸に整列されており、ファスト軸は遮断されています。


波長VSPZT電圧


852.png

スペクトル


Copy20190123_007_副本.jpg


L-I 特性


853.png


線幅テスト結果


BFBNLC53A310D.png


動作構造


QQ图片20190522100544_副本.png

パッケージサイズ

t4.png

ピン定義

t5.png

内蔵PZT

1

TEC (+)

8

PZT チューニング -

2

サーミスタ

9

N/C

3

PDモニタアノード(-)

10

レーザ アノード(+)

4

PDモニタカソード(+)

11

レーザ カソード (–)

5

サーミスタ

12

N/C

6

N/C

13

ケース接地

7

PZT チューニング -

14

TEC (-)

 

絶対最大定格

項目

単位

最小値

典型値

最大値

ケース温度

  

-5

25

70

チップ温度

+10

25

40

動作電流

mA

0

150

200

順方向電圧

V

0.8

1.2

1.8

TEC電流

A

-

1.2

1.4

逆方向電圧(LD)

V

-

-

1.8



応用 / 用途

● レーザー干渉実験
● DWDM 長距離伝送装置のドロップ側
● 光学試験・計測機器
● マイクロ波フォトニクス
● CATV ネットワーク
● センサー応用


注文情報

PL-NL-□□□□-☆-A8▽-XX

□□□□:波長

0633:633nm

0852:852nm

1550:1550nm

1555:1555nm

*****

1560:1560nm

☆ :出力

A:10mW

B:20mW

▽:線幅

1:<10MHz

XX: ファイバ及びコネクタタイプ

SA=HI780+ FC/APC

SP=HI780+ FC/PC

PP=PM850 Fiber+ FC/PC

PA=PM850 Fiber+ FC/APC


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